[发明专利]一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置在审
申请号: | 202010181683.0 | 申请日: | 2020-03-16 |
公开(公告)号: | CN111341939A | 公开(公告)日: | 2020-06-26 |
发明(设计)人: | 尤娟娟;闫光;王琳琳 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 张佳 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 制作方法 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
衬底基板;
激发光源,位于所述衬底基板一侧;
子像素,位于所述激发光源背离所述衬底基板一侧,所述子像素至少包括:第一类子像素,所述第一类子像素包括依次位于所述激发光源背离所述衬底基板一侧的第一量子点转换层、第一调光层和第一彩膜层,所述第一调光层被配置为将波长小于第一类子像素出光波长的至少部分光限制在所述第一量子点转换层中。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一调光层的折射率等于所述第一彩膜层的折射率;
在小于所述第一类子像素出光波长的波段内,所述第一量子点转换层的折射率大于所述第一调光层的折射率;
在大于或等于所述第一类子像素出光波长的波段内,所述第一量子点转换层的折射率小于所述第一调光层的折射率。
3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一量子点转换层的折射率等于所述第一调光层的折射率;
在小于所述第一类子像素出光波长的波段内,所述第一调光层的折射率大于所述第一彩膜层的折射率;
在大于或等于所述第一类子像素出光波长的波段内,所述第一调光层的折射率小于所述第一彩膜层的折射率。
4.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一类子像素为红色子像素和/或绿色子像素。
5.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第一量子点转换层包括:红色量子点和散射粒子;和/或,绿色量子点和散射粒子。
6.如权利要求1-5任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述子像素还包括:第二类子像素;
所述第二类子像素包括:依次位于所述激发光源背离所述衬底基板一侧的散射层、平坦层和第二彩膜层;
所述第二类子像素出光波长小于所述第一类子像素出光波长。
7.如权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述散射层的折射率小于或等于所述平坦层的折射率;
所述平坦层的折射率小于或等于所述第二彩膜层的折射率。
8.如权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述第一量子点转换层、与所述散射层同层设置;
所述第一调光层与所述平坦层同层设置;
所述第一彩膜层与所述第二彩膜层同层设置。
9.如权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,在垂直于所述衬底基板方向上,所述第一类子像素的厚度等于所述第二类子像素的厚度。
10.如权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述第三颜色子像素为蓝色子像素。
11.如权利要求6任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述激发光源被配置为发出白光或蓝光。
12.一种如权利要求1-11任一项所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板上形成激发光源;
在所述激发光源出光面的一侧形成第一类子像素,所述第一类子像素包括依次位于所述激发光源上的第一量子点转换层、第一调光层和第一彩膜层。
13.如权利要求12所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述方法还包括:
在所述激发光源出光面的一侧形成第二类子像素,所述第二类子像素在所述衬底基板上的正投影与所述第一类子像素在所述衬底基板上的正投影互不重叠;
所述第二类子像素包括依次位于所述激发光源上的散射层、平坦层和第二彩膜层。
14.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-11任一项所述的阵列基板,以及位于所述阵列基板出光面一侧的封装盖板。
15.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求14所述的显示面板,以及围绕所述显示面板的保护壳。
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