[发明专利]存储器的测试方法及相关设备

说明书

本公开实施例提供一种存储器的测试方法及装置、电子设备和计算机可读存储介质，涉及半导体器件测试技术领域。该方法由内建自测电路执行，该方法包括：测试第一存储器，获取第一存储器的缺陷信息；根据所述第一存储器的缺陷信息，获得所述第一存储器的修复信息；将所述第一存储器的修复信息存储于第二存储器中。本公开实施例提供的技术方案，可以利用其他存储器来存储当前被测试的存储器的修复信息，从而可以扩大存储空间，提高测试效率，同时利用内建自测电路来实施存储器的测试过程，可以减轻对自动测试设备的依赖程度，降低测试成本。

技术领域

本公开涉及半导体器件测试技术领域，具体而言，涉及一种存储器的测试方法及相关设备。

背景技术

随着半导体工艺尺寸不断缩小，IC(Integrated Circuit，集成电路)设计的规模越来越大，高度复杂的IC产品正面临着高可靠性、高质量、低成本以及更短的产品上市周期等日益严峻的挑战。一方面随着半导体工艺尺寸的缩小，存储器可能存在的缺陷类型越来越多；另一方面，随着IC产品的复杂度的提高，RAM(Random Access Memory，随机存取存储器)等存储器在IC产品中的比重越来越大。

一方面，以DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器))测试为例，需要用于测试存储器的自动测试设备(Automatic Test Equipment，ATE)的机台内部记忆体空间来记录存储器缺陷位置及备用电路的信息，通过ATE分析运算行为产生修补信息，再进行存储器的修补。

在较大容量的存储器测试时或需要精准分析时，ATE内部记忆体空间将可能不足，进而被迫暂停测试进行多次测试及修补，造成测试成本增加。相关技术中，由于ATE内部记忆体空间有限，甚至不支持缺陷位置存储及缺陷分析。如果需要增加ATE的记忆体空间，会导致ATE非常昂贵，或者记忆体空间的扩充已经达到了ATE的上限。

相关技术中存在的一种解决方式是通过高倍率压缩进行测试，但高倍率压缩测试，容易出现无法修补、良率降低的问题。

另一方面，使用ATE通过DA Pad(Direct Access Pads，直接访问通道)对DRAM进行测试时，随着DRAM位宽的增加，一个touch down(指利用探针卡(probe card)测试时，一次按压与DA Pad的接触称之为一个touch down)没法即将整片wafer(晶圆)测试完成。另外当进行高速测试时，需要高端机台，会显著地增加测试成本。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种存储器的测试方法及相关设备，能够克服上述相关技术存在的ATE机台内存空间有限，无法为存储器测试过程中的缺陷信息、修复信息等提供足够的存储空间、以及利用ATE测试存储器时带来的测试成本高、测试周期长、测试速度受限的技术问题。

本公开实施例提供一种存储器的测试方法，所述方法由内建自测电路执行，其中，所述方法包括：测试第一存储器，获取所述第一存储器的缺陷信息；根据所述第一存储器的缺陷信息，获得所述第一存储器的修复信息；将所述第一存储器的修复信息存储于第二存储器中。

在本公开一些示例性实施例中，在测试所述第一存储器之前，所述方法还包括：测试所述第二存储器，获取所述第二存储器的缺陷信息；存储所述第二存储器的缺陷信息；根据所述第二存储器的缺陷信息，获得所述第二存储器的修复信息；利用所述第二存储器的修复信息修复所述第二存储器。

在本公开一些示例性实施例中，所述第一存储器和所述第二存储器属于同一存储设备。

在本公开一些示例性实施例中，所述存储设备还包括控制芯片，所述内建自测电路设置于所述控制芯片中。