[发明专利]JFET器件的制备方法和JFET器件

说明书

本申请公开了一种JFET器件的制备方法和JFET器件，该方法包括：提供一衬底，该衬底为P型衬底，该衬底中形成有深N型阱；在衬底上形成场氧层，深N型阱覆盖场氧层的底部；在深N型阱中形成至少两个N型阱，在深N型阱的外周侧形成第一P型阱和第二P型阱；在深N型阱中形成PTOP，PTOP将深N型阱隔断为上部区域和下部区域，PTOP的两端分别与第一P型阱和第二P型阱接触，至少两个N型阱位于上部区域；在深N型阱内N型阱外形成P型重掺杂区，在第一N型阱内形成第一N型重掺杂区，在第二N型阱内形成第二N型重掺杂区。本申请通过在JFET器件的深N型阱中形成N型阱，解决了由于深N型阱的载流子浓度低所导致的JFET器件的导通电流较小的问题。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种JFET器件的制备方法和JFET器件。

背景技术

结型场效应晶体管(Junction Field-Effect Transistor，JFET)是由PN结的栅极(Gate)、源极(Source)和漏极(Drain)构成的一种具有放大功能的三端有源器件,其工作原理是通过电压改变沟道的导电性来实现对输出电流的控制。

BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺为在同一芯片(Die)上制作双极晶体管(BipolarJunction Transistor，BJT)器件、互补金属氧化物半导体(Complementary Metal-OxideSemiconductor，CMOS)器件和DMOS器件的工艺。采用BCD工艺制造的器件广泛应用于电源管理、显示驱动、汽车电子、工业控制等领域。

参考图1，其示出了一种基于BCD工艺制备得到的JFET器件的剖面示意图，如图1所示，该JFET器件包括P型衬底101，P型衬底101中形成有深N型阱(DeepNegative-type Well，DNW)102，深N型阱中形成有P型阱(Positive-type Well，PW)104，P型104和深N型阱102之间形成有浮置P型结构(PTOP，P型离子注入)1051、1052，P型衬底101上形成有场氧(LocalOxidation of Silicon，LOCOS)层103，场氧层103两侧的P型衬底101中形成有N型重掺杂区1071、1072。

如图1所示，JFET器件通过设置P型阱-PTOP-深N型阱的结构对P型阱和深N型阱进行夹断，相关技术中，可将上述结构改进为P型重掺杂区-PTOP-深N型阱，使深N型阱的深度变浅，以获得更低的夹断电压，然而，在改进的结构中，JFET器件的导通电流较小。

发明内容

本申请提供了一种JFET器件的制备方法和JFET器件，可以解决相关技术中提供的JFET器件的导通电流较小的问题。

一方面，本申请实施例提供了一种JFET器件的制备方法，包括：

提供一衬底，所述衬底为P型衬底，所述衬底中形成有深N型阱；

在所述衬底上形成场氧(Local Oxidation of Silicon，LOCOS)层，所述深N型阱覆盖所述场氧层的底部；

在所述深N型阱中形成至少两个N型阱，在所述深N型阱的外周侧形成第一P型阱和第二P型阱；

在所述深N型阱中形成PTOP，所述PTOP将所述深N型阱隔断为上部区域和下部区域，所述PTOP的两端分别与第一P型阱和所述第二P型阱接触，所述至少两个N型阱位于所述上部区域；

在所述深N型阱内N型阱外形成P型重掺杂区，在所述第一N型阱内形成第一N型重掺杂区，在所述第二N型阱内形成第二N型重掺杂区。

可选的，所述衬底上形成有至少四个场氧层；

所述衬底上形成有所述在所述衬底上形成场氧层，包括：