[发明专利]制动电路以及包含该制动电路的变流装置

说明书

本申请公开一种制动电路以及包含该制动电路的变流装置，所述制动电路包括第一直流输入端口、第二直流输入端口、串联连接在所述第一直流输入端口和所述第二直流输入端口之间的至少一个制动电阻和一个开关回路；所述开关回路包括并联连接的半导体组件和吸收电路；所述半导体组件包括全控型半导体开关器件、与所述全控型半导体开关器件反向并联的续流二极管。本申请通过串联连接在第一直流输入端口和第二直流输入端口之间的制动电阻和开关回路组成的制动电路；解决了现有制动电路存在的器件数量多、成本高、可靠性低的问题；减少了制动电路的器件数量，降低了制动电路的成本，提高了制动电路的可靠性。

技术领域

本申请涉及电力电子技术领域，尤其涉及一种制动电路以及包含该制动电路的变流装置。

背景技术

随着工业技术的发展，交直交变流装置在发电行业和电气传动行业得到广泛应用，应用于发电行业的变流装置需要满足行业要求的低穿标准，在低穿过程中，电网电压降低，电机的能量无法传输到电网，需要在其直流母线设置制动电路，用来消耗电机的能量，稳定变流装置的工作。

应用于电气传动行业的变流装置需要快速制动电机，在快速制动过程中，电机能量会输入到直流环节，同样需要在母线设置制动电路，用于消耗电机的能量，稳定变流装置的工作。如图1所示的在母线设置制动电路的变流装置的结构示意图。

IGCT(Integrated Gate Commutated Thyristors，集成门极换相晶闸管)和IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)器件是交直交变流装置大量使用的全控型半导体器件。

IGCT是一种高电压、大功率、快速动作的电力电子器件，这种中高压变流器已成为中高压领域交流变频调速装置的重要发展方向，但是其对电流上升率较为敏感。如图2所示的一种现有的以IGCT作为开关器件的制动电路结构示意图，包括限制电流上升率的缓冲箝位电路11(包括缓冲电感、箝位二极管、箝位电容、箝位电阻)、制动电阻12、制动电阻续流二极管13、IGCT器件14、IGCT反向续流二极管15。

IGBT是一种可广泛应用于低压和中压、中小功率变流领域的全控型器件，IGBT属于电压敏感型器件，不能承受反向电压，承受正向电压不超过额定值。如图3所示的一种现有的以IGBT作为开关器件的制动电路结构示意图，包括吸收IGBT关断尖峰电压的吸收电容21、制动电阻22、制动电阻续流二极管23、IGBT器件24、IGBT反向续流二极管25。

IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor，栅极注入增强型晶体管)是东芝开发的一种中高压晶体管器件，其应用方法和IGBT相似，制动电路和以IGBT作为开关器件的制动电路也类似。

无论是以IGCT作为开关器件的制动电路，还是以IGBT或IEGT作为开关器件的制动电路，存在的问题是使用器件数量多、成本高、可靠性低。

发明内容

有鉴于此，本申请的目的在于提供一种制动电路以及包含该制动电路的变流装置，以解决现有制动电路存在的器件数量多、成本高、可靠性低的问题。

本申请解决上述技术问题所采用的技术方案如下：

根据本申请的一个方面，一种制动电路，包括第一直流输入端口、第二直流输入端口，还包括串联连接在所述第一直流输入端口和所述第二直流输入端口之间的至少一个制动电阻和一个开关回路；

所述开关回路包括并联连接的半导体组件和吸收电路；

所述半导体组件包括全控型半导体开关器件、与所述全控型半导体开关器件反向并联的续流二极管。