[发明专利]一种晶圆背面切割后金属沉积工艺

说明书

本发明公开一种晶圆背面切割后金属沉积工艺,金属沉积工艺包括以下步骤：一次金属沉积、键合、减薄、光阻涂布、切割、粘合剂去除、二次金属沉积、固定、解键合、清理。本发明金属沉积工艺通过先切割，在粘合剂上形成第一凹槽，在金属沉积时，晶粒之间的金属落入第一凹槽内，使得金属不会对相邻的两个晶粒形成粘连，取代了传统的先金属沉积后切割的工艺流程，避免了切割时相邻的晶粒被金属粘连，导致晶圆崩裂，提高晶粒的成品率，降低晶粒的生产成本。

技术领域

本发明涉及一种金属沉积工艺，具体是一种晶圆背面切割后金属沉积工艺。

背景技术

晶粒在生产过程中，先完成晶圆清洗，氧化物沉积光刻布图，刻蚀成图，金属沉积等工艺后，一个玻璃载板键盘合在硅晶圆上，进行薄化，及背面金属沉积工艺，目前的晶圆生产工艺是先完成晶圆清洗，氧化物沉积光刻布图，刻蚀成图，金属沉积等工艺，然后将晶圆正面键与玻璃载板键合，进行晶圆背面减薄清洗金属沉积等工艺后再解键合。但是薄化到20微米ˉ80微米的晶圆，在完成金属沉积工艺之后，进行晶圆的切割晶粒工序，于切割晶粒时，由于薄晶圆的翘曲性，加上晶圆已完成金属沉积，以外力切割时，切割时变化的剪应力，易使晶圆崩裂，晶粒无法重工而报废损毁。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶圆背面切割后金属沉积工艺，通过先切割，在粘合剂上形成第一凹槽，在金属沉积时，晶粒之间的金属落入第一凹槽内，使得金属不会对相邻的两个晶粒形成粘连，取代了传统的先金属沉积后切割的工艺流程，避免了切割时相邻的晶粒被金属粘连，导致晶圆崩裂，提高晶粒的成品率，降低晶粒的生产成本。

本发明的目的可以通过以下技术方案实现：

一种晶圆背面切割后金属沉积工艺,金属沉积工艺包括以下步骤：

S1：一次金属沉积

对晶圆的正面进行金属沉积,在晶圆上形成第一沉积层。

S2：键合

将晶圆的正面键合在玻璃载板上，玻璃载板上设有粘合剂。

S3：减薄

对晶圆的背面进行减薄。

S4：光阻涂布

在晶粒的背面进行光阻涂布，在晶粒上形成光阻涂布层，遮蔽晶圆正面的晶粒，曝光显影，暴露出切割线。

S5：切割

蚀刻切割晶圆上晶粒之间的切割线，完成晶粒切割，切割后相邻的晶粒不接触。

S6：粘合剂去除

采用氧气电浆异向性蚀刻(anistropic)晶粒之间的粘合剂，在粘合剂上形成第一凹槽，氧气电浆同时去除光阻涂布层。

S7：二次金属沉积

采用溅镀机/蒸镀机对晶粒的背面进行金属沉积，在晶粒的背面形成第二沉积层，金属沉积的方向性/选择性，金属落入第一凹槽内使得落入第一凹槽内的金属与晶粒不接触。

S8：固定

将晶粒的减薄面固定在膜框上。

S9：解键合

通过镭射，将晶粒从玻璃载板上脱离下来。

S10：清理

对晶粒正面的残留物进行清理，晶粒被分离，固定在膜框上。

进一步的，所述S2中粘合剂将晶圆粘连在玻璃载板上。

进一步的，所述S3减薄的厚度小于晶圆的厚度。

进一步的，所述S5中采用含氟电浆对晶圆进行蚀刻。