[发明专利]一种声表面波器件及其制作方法在审
申请号: | 202010145350.2 | 申请日: | 2020-03-05 |
公开(公告)号: | CN111211755A | 公开(公告)日: | 2020-05-29 |
发明(设计)人: | 李勇;温旭杰;何朝峰;王祥邦;肖功亚;黄亮 | 申请(专利权)人: | 中电科技德清华莹电子有限公司 |
主分类号: | H03H9/145 | 分类号: | H03H9/145;H03H9/25 |
代理公司: | 杭州赛科专利代理事务所(普通合伙) 33230 | 代理人: | 郭薇 |
地址: | 313000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 表面波 器件 及其 制作方法 | ||
1.一种声表面波器件,包括压电衬底、制作在压电衬底表面的金属电极结构,其特征在于:所述的压电衬底表面上至少有一个有效声表面波传输通道区域边缘镶嵌有介质体,所述的介质体作为声表面波声波导的侧壁。
2.根据权利要求1所述的一种声表面波器件,其特征在于:所述的压电衬底表面上有效声表面波传输通道区域分布在叉指换能器产生或/和接收实现器件功能所必要的声表面波的区域上。
3.根据权利要求1所述的一种声表面波器件,其特征在于:所述的压电衬底表面上有效声表面波传输通道区域分布在偏离叉指换能器的压电衬底表面上。
4.根据权利要求2所述的一种声表面波器件,其特征在于:所述的压电衬底表面上有效声表面波传输通道区域为变迹加权表面波传输通道区域。
5.根据权利要求1所述的一种声表面波器件,其特征在于:所述的压电衬底为多层结构复合基片的表面压电层。
6.根据权利要求5所述的一种声表面波器件,其特征在于:所述压电衬底的表面层包括压电晶体或压电薄膜,所述的压电晶体由铌酸锂、钽酸锂、硅酸钾镧系列或石英的一种或多种制成;所述的压电薄膜由氧化锌或氮化铝的一种或多种制成。
7.根据权利要求1所述的一种声表面波器件,其特征在于:所述的介质体由氮化硅、蓝宝石、二氧化硅或氮化铝的一种或多种构成单层或多层结构。
8.根据权利要求1所述的一种声表面波器件,其特征在于:镶嵌介质体的个体几何形状包括微电子工艺能制作的扁带状、柱状、斜锥状,其整体排列方式是一排或多排,其个体间距和排距根据器件性能设计。
9.根据权利要求1至8任意一项所述的一种声表面波器件的制作方法,其特征在于:其步骤为:(1)采用干法或者湿法在压电衬底上挖坑或者通孔,然后填入介质体在坑孔内,以此形成衬底;
(2)在衬底上表面制作相关金属电极结构。
10.根据权利要求9所述的一种声表面波器件的制作方法,其特征在于:镶嵌介质体为采用淀积、表面生长以及相关微电子工艺联合制作。
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