[发明专利]工艺检测方法及系统、设备、存储介质

说明书

一种工艺检测方法及系统、设备、存储介质，工艺检测方法包括：提供基底，基底上形成有底层功能结构、以及位于底层功能结构上方的待检测功能层，待检测功能层中形成有开口，开口露出底层功能结构；提供底层功能结构的版图图形作为第一版图图形，提供开口的版图图形作为第二版图图形；获取开口的轮廓图形；对轮廓图形与第二版图图形进行第一叠加处理，获得第一叠加图形；根据第一叠加图形比较轮廓图形与第一版图图形的相对位置关系，并根据相对位置关系检测薄弱点。所述底层功能结构所对应的第一版图图形的边界清楚且完整，因此，通过比较轮廓图形与第一版图图形的相对位置关系的方式，使得判断结果更精准，相应提高了工艺检测的精度。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种工艺检测方法及系统、设备、存储介质。

背景技术

随着半导体制造技术的发展，半导体器件的最小特征尺寸越来越小，图形密度和复杂度也越来越高，从而导致各工艺步骤后出现薄弱点(weakpoint)的概率更高。为了确保半导体器件的性能，在半导体器件的制造过程中，需要快速并准确地发现各工艺步骤后产生的薄弱点并进行风险评估，从而加快技术的开发、提高产量。

目前常用的检测方法是利用计算机自动检测的方式对薄弱点进行检测。但是，目前的检测方法只能检测到晶圆上图形和相对应的版图图形之间非常有限的缺陷图形类型，从而评估某一层膜层自身的薄弱点。但是，对于复杂的图形，尤其是对于多层结构(例如：相邻两层结构)共同影响下的薄弱点，目前的检测方法难以获得精准的检测结果。

发明内容

本发明实施例解决的问题是提供一种工艺检测方法及系统、设备、存储介质，提高工艺检测的精度。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种工艺检测方法，包括：提供基底，所述基底上形成有底层功能结构、以及位于所述底层功能结构上方的待检测功能层，所述待检测功能层中形成有开口，所述开口露出所述底层功能结构；提供所述底层功能结构的版图图形作为第一版图图形，提供所述开口的版图图形作为第二版图图形；获取所述开口的轮廓图形；对所述轮廓图形与所述第二版图图形进行叠加处理，获得叠加图形；根据所述叠加图形比较所述轮廓图形与所述第一版图图形的相对位置关系，并根据所述相对位置关系检测薄弱点。

相应地，本发明实施例还提供一种工艺检测系统，适于对基底进行检测，所述基底上形成有底层功能结构、以及位于所述底层功能结构上方的待检测功能层，所述待检测功能层中形成有开口，所述开口露出所述底层功能结构，包括：第一图形获取模块，用于提供所述底层功能结构的版图图形作为第一版图图形，还用于提供所述开口的版图图形作为第二版图图形；第二图形获取模块，用于获取所述开口的轮廓图形；图形叠加模块，用于对所述轮廓图形与所述第二版图图形进行叠加处理，获得叠加图形；判断模块，用于根据所述叠加图形比较所述轮廓图形与所述第一版图图形的相对位置关系，并根据所述相对位置关系检测薄弱点。

相应地，本发明实施例还提供一种设备，包括至少一个存储器和至少一个处理器，所述存储器存储有一条或多条计算机指令，其中，所述一条或多条计算机指令被所述处理器执行以实现前述的工艺检测方法。

相应地，本发明实施例还提供一种存储介质，所述存储介质存储有一条或多条计算机指令，所述一条或多条计算机指令用于实现前述的工艺检测方法。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：