[发明专利]工艺检测方法及系统、设备、存储介质有效
申请号: | 202010129485.X | 申请日: | 2020-02-28 |
公开(公告)号: | CN113408236B | 公开(公告)日: | 2022-11-15 |
发明(设计)人: | 孟阳;王伟斌;刘庆炜;吴宗晔 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G06F30/392 | 分类号: | G06F30/392;G06T7/00;G06T7/13 |
代理公司: | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人: | 高静 |
地址: | 300380 天津市*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 工艺 检测 方法 系统 设备 存储 介质 | ||
1.一种工艺检测方法,其特征在于,包括:
提供基底,所述基底上形成有底层功能结构、以及位于所述底层功能结构上方的待检测功能层,所述待检测功能层中形成有开口,所述开口露出所述底层功能结构;
提供所述底层功能结构的版图图形作为第一版图图形,提供所述开口的版图图形作为第二版图图形;
获取所述开口的轮廓图形;
对所述轮廓图形与所述第二版图图形进行叠加处理,获得叠加图形;
根据所述叠加图形比较所述轮廓图形与所述第一版图图形的相对位置关系,并根据所述相对位置关系检测薄弱点。
2.如权利要求1所述的工艺检测方法,其特征在于,获取所述开口的轮廓图形的步骤包括:获取所述开口的量测图形;
从所述量测图形中提取所述开口的边界特征,并将所述边界特征转化为轮廓图形。
3.如权利要求1所述的工艺检测方法,其特征在于,对所述轮廓图形与所述第二版图图形进行叠加处理后,所述工艺检测方法还包括:根据所述叠加图形测量所述轮廓图形在待测量位置处的关键尺寸。
4.如权利要求1所述的工艺检测方法,其特征在于,获取所述开口的轮廓图形后,对所述轮廓图形与所述第二版图图形进行叠加处理之前,所述工艺检测方法还包括:利用所述第一版图图形,对所述轮廓图形中与所述底层功能结构相对应的区域进行填充处理。
5.如权利要求4所述的工艺检测方法,其特征在于,所述填充处理的步骤包括:对所述轮廓图形和所述第一版图图形实现逻辑“或”运算。
6.如权利要求3所述的工艺检测方法,其特征在于,对所述轮廓图形与所述第二版图图形进行叠加处理后,根据所述叠加图形比较所述轮廓图形与所述第一版图图形的相对位置关系之前,根据所述叠加图形测量所述轮廓图形在待测量位置处的关键尺寸。
7.如权利要求1所述的工艺检测方法,其特征在于,所述提供基底的步骤中,所述待检测功能层中形成有多个开口,所述多个开口沿第一方向延伸且沿第二方向平行排列,所述第一方向垂直于第二方向;
根据所述叠加图形比较所述轮廓图形与所述第一版图图形的相对位置关系的步骤包括:
设定任一所述底层功能结构作为待测底层功能结构;
设定所述待测底层功能结构所在的开口所对应的轮廓图形为第一待测图形;
设定所述待测底层功能结构对应的第一版图图形在所述第二方向上的任一边作为第一待测边,设定所述第一待测图形在所述第二方向上背向所述第一待测边的边作为第二待测边;
测量所述第一待测边至所述第二待测边的距离,作为第一距离;
计算所述第一距离占所述第一版图图形沿所述第二方向的边长的比例;
判断所述比例是否小于第一预设阈值,当所述比例小于所述第一预设阈值时,判定为具有薄弱点。
8.如权利要求7所述的工艺检测方法,其特征在于,所述第一预设阈值为50%至150%。
9.如权利要求1所述的工艺检测方法,其特征在于,所述提供基底的步骤中,所述待检测功能层中形成有多个开口,所述多个开口沿第一方向延伸且沿第二方向平行排列,所述第一方向垂直于第二方向;
根据所述叠加图形比较所述轮廓图形与所述第一版图图形的相对位置关系的步骤包括:
设定任一所述底层功能结构作为待测底层功能结构;
设定所述待测底层功能结构所在的开口所对应的轮廓图形为第一待测图形,设定在所述第二方向上与所述第一待测图形相邻的轮廓图形为第二待测图形;
设定所述待测底层功能结构对应的第一版图图形在所述第二方向上的任一边作为第一待测边,设定所述第二待测图形在所述第二方向上与所述第一待测边相邻的边作为第三待测边;
测量所述第一待测边至所述第三待测边的距离,作为第二距离;
计算所述第二距离占所述第一待测图形和第二待测图形的间隔的比例;
判断所述比例是否小于第二预设阈值,当所述比例小于所述第二预设阈值时,判定为具有薄弱点。
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