[发明专利]提升抗LATCH UP能力的方法及系统

说明书

本发明公开了一种提升平面栅IGBT的抗LATCH UP能力的方法及系统，所述平面栅IGBT包括第一寄生三极管和第二寄生三极管；所述方法包括：在所述第一寄生三极管的集电极中注入氢离子；其中，随着所述氢离子的注入，所述第一寄生三极管的放大倍数降低，所述平面栅IGBT的抗LATCH UP能力增强；和/或，在所述第二寄生三极管的基极中注入氢离子；其中，随着所述氢离子的注入，所述第二寄生三极管的放大倍数降低，所述平面栅IGBT的抗LATCH UP能力增强。本发明能够有效地提升了平面栅IGBI的抗LATCH UP能力，提高了平面栅IGBI的使用性能，使其能够满足更高的实际使用需求。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种提升平面栅IGBT(绝缘栅双极型晶体管)的抗LATCH UP(闩锁效应)能力的方法及系统。

背景技术

LATCH UP是由寄生晶体管对产生的，属于寄生晶体管中存在的电路缺陷，因此需要在电路设计和工艺制作中加以防止和限制。但是，现有的平面栅IGBT的抗LATCH UP能力仍存在不够理想，不能够满足实际的使用需求的问题。

发明内容

本发明要解决的技术问题是为了克服现有技术中平面栅IGBT存在抗LATCH UP能力均不理想，不能够满足实际的使用需求的缺陷，提供一种提升平面栅IGBT的抗LATCH UP能力的方法及系统。

本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题：

本发明提供一种提升平面栅IGBT的抗LATCH UP能力的方法，所述平面栅IGBT包括寄生晶体管对，所述寄生晶体管对包括第一寄生三极管和第二寄生三极管；

所述第一寄生三极管的发射极与N+区连接，所述第一寄生三极管的集电极与所述第二寄生三极管的基极连接，所述第一寄生三极管的基极与所述第二寄生三极管的集电极连接，所述第二寄生三极管的发射极与所述平面栅IGBT的背面P+区连接；

所述方法包括：

在所述第一寄生三极管的集电极中注入氢离子；

其中，随着所述氢离子的注入，所述第一寄生三极管的放大倍数降低，所述平面栅IGBT的抗LATCH UP能力增强；和/或，

在所述第二寄生三极管的基极中注入氢离子；

其中，随着所述氢离子的注入，所述第二寄生三极管的放大倍数降低，所述平面栅IGBT的抗LATCH UP能力增强。

较佳地，所述在所述第一寄生三极管的集电极中注入氢离子的步骤包括：

采用高能离子注入机在所述第一寄生三极管的集电极中注入氢离子；

所述在所述第二寄生三极管的基极中注入氢离子的步骤包括：

采用高能离子注入机在所述第二寄生三极管的基极中注入氢离子。

较佳地，所述平面栅IGBT包括平面型IGBT、平面型FS IGBT、平面型CS IGBT或平面型FS CS IGBT(平面型IGBT、平面型FS IGBT、平面型CS IGBT或平面型FS CS IGBT均为一种晶体管)。

较佳地，所述第一寄生三极管为NPN型寄生三极管，所述第二寄生三极管为PNP型寄生三极管(NPN型寄生三极管、PNP型寄生三极管均为一种三极管)。

本发明还提供一种提升平面栅IGBT的抗LATCH UP能力的系统，所述平面栅IGBT包括寄生晶体管对，所述寄生晶体管对包括第一寄生三极管和第二寄生三极管；

所述第一寄生三极管的发射极与N+区连接，所述第一寄生三极管的集电极与所述第二寄生三极管的基极连接，所述第一寄生三极管的基极与所述第二寄生三极管的集电极连接，所述第二寄生三极管的发射极与所述平面栅IGBT的背面P+区连接；