[发明专利]一种超疏水涂层防水电路板及其制备方法

说明书

本发明提供一种超疏水涂层防水电路板的制备方法，包括如下步骤：形成氧化物纳米粒子溶液；将硅烷偶联剂和氨水加入氧化物纳米粒子溶液中，于60℃～80℃条件下搅拌，静置沉淀，过滤，干燥，得到改性的氧化物纳米粒子；制备偶联剂无水乙醇溶液；将交联剂、偶联剂无水乙醇溶液以及碱性硅溶胶混合搅拌，加入改性的硅溶胶中，超声处理，得到超疏水涂层用溶液；将超疏水涂层用溶液涂抹在电路板上，干燥，得到超疏水涂层防水电路板。本发明提供的超疏水涂层防水电路板的制备方法，通过硅溶胶与改性的氧化物纳米粒子制备超疏水涂层，在电路板上形成了粗糙且表面能低的微观表面，进而得到超疏水表面，提高电路板的防水性能。

技术领域

本发明涉及电路板的制备技术领域，具体而言，涉及一种超疏水涂层防水电路板及其制备方法。

背景技术

一些电器在使用过程中会遇到水，其中电器的电路板遇到水可能会产生腐蚀、软化、变形和霉变等问题，导致电器出现故障。

现阶段电器设备进行的防水防潮处理，大多是通过结构设计来实现，再加上在外壳接缝处进行接缝防护，从而达到一定的防水等级，但是这样的处理方法不能从根本上解决问题。

鉴于上述缺陷，本发明创作者经过长时间的研究和实践终于获得了本发明。

发明内容

本发明解决的问题是如何提高电路板的防水性能。

为解决上述问题，本发明提供一种超疏水涂层防水电路板的制备方法，包括如下步骤：

S1：将去离子水以及无水乙醇分别加入氧化物纳米粒子中，形成氧化物纳米粒子溶液；

S2：将硅烷偶联剂和氨水分别加入所述氧化物纳米粒子溶液中，于60℃～80℃条件下搅拌，得到改性后的氧化物纳米粒子溶液；

S3：将所述改性后的氧化物纳米粒子溶液静置沉淀，过滤，得到固体颗粒；对所述固体颗粒进行干燥，得到改性的氧化物纳米粒子；

S4：将硅烷偶联剂与无水乙醇混合，制备偶联剂无水乙醇溶液；

S5：将交联剂、所述偶联剂无水乙醇溶液以及碱性硅溶胶混合搅拌，得到改性的硅溶胶；

S6：将所述改性的氧化物纳米粒子加入所述改性的硅溶胶中，进行超声处理，得到超疏水涂层用溶液；

S7：将所述超疏水涂层用溶液涂抹在电路板上，干燥，得到超疏水涂层防水电路板。

可选地，所述氧化物纳米粒子的粒径包括100nm和20nm，粒径为100nm的所述氧化物纳米粒子和粒径为20nm的所述氧化物纳米粒子的质量比范围为(0.5～1):1。

可选地，所述氧化物纳米粒子选自纳米Al₂O₃、纳米SiO₂、纳米TiO₂、纳米ZnO中的至少一个。

可选地，步骤S1中所述氧化物纳米粒子的加入量范围为1g～5g，所述去离子水的加入量范围为100ml～200ml，所述无水乙醇的加入量范围为20ml～80ml。

可选地，所述硅烷偶联剂选自全氟辛基三乙氧基硅烷、十六烷基三甲氧基硅烷中的至少一种。

可选地，步骤S2中所述硅烷偶联剂的加入量范围为50μL～120μL；所述氨水的加入量为300μL；所述搅拌时间范围为15h～20h。

可选地，所述交联剂包括甲基三乙氧基硅烷。

可选地，所述偶联剂乙醇溶液中偶联剂的浓度范围为5mM/L～20mM/L；步骤S5中所述交联剂的加入量为20ml；所述偶联剂无水乙醇溶液的加入量为20ml；所述碱性硅溶胶的加入量为6ml。