[发明专利]图像传感器结构

权利要求书

1.一种图像传感器结构，其特征在于，包括：衬底，设于所述衬底上的浅槽隔离区，依次位于所述浅槽隔离区之间的光电二极管、传输晶体管和浮置扩散区，以及设于靠近所述光电二极管一侧的所述浅槽隔离区表面上的导电层；其中，所述导电层至少覆盖所述浅槽隔离区，在粒子照射下，所述导电层中产生负电荷，用于与所述浅槽隔离区的填充材料中产生的正电荷相互抵消。

2.根据权利要求1所述的图像传感器结构，其特征在于，所述导电层至少覆盖靠近所述光电二极管一侧的所述浅槽隔离区的整个表面。

3.根据权利要求1所述的图像传感器结构，其特征在于，当粒子由所述导电层的正面方向照射时，所述导电层覆盖靠近所述光电二极管一侧的所述浅槽隔离区的整个表面，并向所述光电二极管一侧延伸至所述光电二极管的侧部上方。

4.根据权利要求1所述的图像传感器结构，其特征在于，当粒子由所述导电层的背面方向照射时，所述导电层覆盖靠近所述光电二极管一侧的所述浅槽隔离区的整个表面，并向所述光电二极管一侧延伸至覆盖整个所述光电二极管。

5.根据权利要求1所述的图像传感器结构，其特征在于，所述导电层的厚度与所述浅槽隔离区的体积成正比。

6.根据权利要求1所述的图像传感器结构，其特征在于，所述导电层材料为氮化钛或氮化钽，所述浅槽隔离区的填充材料为二氧化硅。

7.根据权利要求1所述的图像传感器结构，其特征在于，所述导电层的厚度为10纳米到200纳米。

8.根据权利要求1所述的图像传感器结构，其特征在于，还包括：设于所述光电二极管上方的所述衬底中的隔离区。

9.根据权利要求8所述的图像传感器结构，其特征在于，所述隔离区为注入层，其与所述光电二极管之间形成PN结。

10.根据权利要求1所述的图像传感器结构，其特征在于，所述衬底为硅衬底。