[发明专利]一种彩膜基板及其制造方法

权利要求书

1.一种彩膜基板的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：涂覆间隔物材料光阻，首先通过第一掩膜版对间隔物材料光阻进行曝光形成不同段差的主间隔物前体和辅间隔物前体；然后涂覆间隔物材料光阻，采用第二掩膜版继续对主间隔物前体、辅间隔物前体和间隔物材料光阻进行曝光并制作不同高度和不同表面形态的主隔垫物和辅隔垫物，使得主间隔物和辅间隔物的上表面的长度不小于下表面的长度；其中，第一掩膜版和第二掩膜版为半透半反掩膜版或半曝光掩膜版。

2.根据权利要求1所述的彩膜基板的制造方法，其特征在于，第一掩膜版设有形成主间隔物的第一主图案区和形成辅间隔物的第一辅图案区；第二掩膜版设有形成主间隔物的第二主图案区和形成辅间隔物的第二辅图案区；其中，第二主图案区的尺寸大于第一主图案区的尺寸，第二辅图案区的尺寸大于第二辅图案区的尺寸。

3.一种彩膜基板的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：涂覆间隔物材料光阻，首先通过第一掩膜版对间隔物材料光阻进行曝光形成不同段差的主间隔物前体和辅间隔物前体；然后涂覆间隔物材料光阻，依序采用第二掩膜版和第三掩膜版依序继续对主间隔物前体、辅间隔物前体和间隔物材料光阻进行曝光并制作不同高度和不同表面形态的主隔垫物和辅隔垫物，使得主间隔物和辅间隔物的上表面的长度不小于下表面的长度；其中，第一掩膜版、第二掩膜版和第三掩膜版为半透半反掩膜版或半曝光掩膜版；每次曝光前都需要涂覆间隔物材料光阻。

4.根据权利要求3所述的彩膜基板的制造方法，其特征在于，第一掩膜版设有形成主间隔物的第一主图案区和形成辅间隔物的第一辅图案区；第二掩膜版设有形成主间隔物的第二主图案区和形成辅间隔物的第二辅图案区；第三掩膜版设有形成主间隔物的第三主图案区和形成辅间隔物的第三辅图案区；其中，第三主图案区的尺寸大于第二主图案区的尺寸，第三辅图案区的尺寸大于第二辅图案区的尺寸；第二主图案区的尺寸大于第一主图案区的尺寸，第二辅图案区的尺寸大于第二辅图案区的尺寸。

5.一种彩膜基板的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：涂覆间隔物材料光阻，首先通过第一掩膜版对间隔物材料光阻进行曝光形成不同段差的主间隔物前体和辅间隔物前体；然后涂覆间隔物材料光阻，依序采用第二掩膜版、第三掩膜版和第四掩膜版依序继续对主间隔物前体、辅间隔物前体和间隔物材料光阻进行曝光并制作不同高度和不同表面形态的主隔垫物和辅隔垫物，使得主间隔物和辅间隔物的上表面的长度不小于下表面的长度；其中，第一掩膜版、第二掩膜版、第三掩膜版和第四掩膜版为半透半反掩膜版或半曝光掩膜版；每次曝光前都需要涂覆间隔物材料光阻。

6.根据权利要求5所述的彩膜基板的制造方法，其特征在于，第一掩膜版设有形成主间隔物的第一主图案区和形成辅间隔物的第一辅图案区；第二掩膜版设有形成主间隔物的第二主图案区和形成辅间隔物的第二辅图案区；第三掩膜版设有形成主间隔物的第三主图案区和形成辅间隔物的第三辅图案区；第四掩膜版设有形成主间隔物的第四主图案区和形成辅间隔物的第四辅图案区；其中，第四主图案区的尺寸大于第三主图案区的尺寸，第四辅图案区的尺寸大于第三辅图案区的尺寸；第三主图案区的尺寸大于第二主图案区的尺寸，第三辅图案区的尺寸大于第二辅图案区的尺寸；第二主图案区的尺寸大于第一主图案区的尺寸，第二辅图案区的尺寸大于第二辅图案区的尺寸。

7.一种采用权利要求1-6任一所述彩膜基板的制造方法形成的彩膜基板，其包括阵列设置的黑色矩阵、位于相邻黑色矩阵之间的色阻层、覆盖黑色矩阵和色阻层的平坦层或公共电极层以及位于平坦层或公共电极层上的主间隔物和辅间隔物，其特征在于，主间隔物和辅间隔物均设有与平坦层或公共电极层接触的下表面以及位于其端部且与下表面相对设置的上表面，其中，上表面的长度不小于下表面的长度。

8.根据权利要求7所述的彩膜基板，其特征在于，主间隔物和辅间隔物的上表面呈凹凸型。

9.根据权利要求7所述的彩膜基板，其特征在于，主间隔物和辅间隔物的上表面呈锯齿型。