[发明专利]权重单元以及存储器装置

权利要求书

1.一种权重单元，包括：

第一场效应晶体管和第一电阻式存储器元件，所述第一电阻式存储器元件连接到所述第一场效应晶体管的漏极；

第二场效应晶体管和第二电阻式存储器元件，所述第二电阻式存储器元件连接到所述第二场效应晶体管的漏极，所述第一场效应晶体管的所述漏极连接到所述第二场效应晶体管的栅极，且所述第二场效应晶体管的所述漏极连接到所述第一场效应晶体管的栅极；

第三场效应晶体管和第三电阻式存储器元件，所述第三电阻式存储器元件连接到所述第三场效应晶体管的漏极；以及

第四场效应晶体管和第四电阻式存储器元件，所述第四电阻式存储器元件连接到所述第四场效应晶体管的漏极，所述第三场效应晶体管的所述漏极连接到所述第四场效应晶体管的栅极且所述第四场效应晶体管的所述漏极连接到所述第三场效应晶体管的栅极。

2.根据权利要求1所述的权重单元，其中所述第一场效应晶体管、所述第二场效应晶体管、所述第三场效应晶体管以及所述第四场效应晶体管包括n型场效应晶体管。

3.根据权利要求1所述的权重单元，其中所述第一场效应晶体管、所述第二场效应晶体管、所述第三场效应晶体管以及所述第四场效应晶体管包括p型场效应晶体管。

4.根据权利要求1所述的权重单元，其中所述第一电阻式存储器元件、所述第二电阻式存储器元件、所述第三电阻式存储器元件以及所述第四电阻式存储器元件包括磁性隧道结。

5.根据权利要求1所述的权重单元，其中所述第一电阻式存储器元件、所述第二电阻式存储器元件、所述第三电阻式存储器元件以及所述第四电阻式存储器元件包括电阻式随机存取存储器元件。

6.根据权利要求1所述的权重单元，其中所述第一电阻式存储器元件、所述第二电阻式存储器元件、所述第三电阻式存储器元件以及所述第四电阻式存储器元件包括铁电随机存取存储器元件。

7.根据权利要求1所述的权重单元，其中所述第一电阻式存储器元件、所述第二电阻式存储器元件、所述第三电阻式存储器元件以及所述第四电阻式存储器元件包括脉冲编码调制存储器元件。

8.根据权利要求1所述的权重单元，其中所述第一场效应晶体管的源极连接到所述第三电阻式存储器元件的节点。

9.根据权利要求8所述的权重单元，其中所述第二场效应晶体管的源极连接到所述第四电阻式存储器元件的节点。

10.根据权利要求1所述的权重单元，还包括到所述第一电阻式存储器元件的引线的第一外部连接和到所述第二电阻式存储器元件的引线的第二外部连接。

11.根据权利要求10所述的权重单元，还包括到所述第一场效应晶体管的源极的第三外部连接和到所述第二场效应晶体管的源极的第四外部连接。

12.根据权利要求1所述的权重单元，其中所述权重单元基于所述第一电阻式存储器元件的电导、所述第二电阻式存储器元件的电导、所述第三电阻式存储器元件的电导以及所述第四电阻式存储器元件的电导产生逻辑值。