[发明专利]阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法有效
| 申请号： | 202010079497.6 | 申请日： | 2020-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN111261577B | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 王东雷 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 李新干 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阵列 显示 面板 制作方法 | ||
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括步骤：
制作一平坦层，所述平坦层设有显示区和非显示区；以及
在位于所述非显示区内的所述平坦层上制作沟槽，所述沟槽环绕所述显示区设置，所述沟槽包括下底面和位于所述下底面两侧的侧斜面，所述下底面与所述侧斜面之间的夹角为30°-45°；
其中，在制作所述沟槽时，通过间隔制作多个子侧斜面，多个所述子侧斜面相互连接形成所述侧斜面；
所述子侧斜面与所述下底面相连接的长度为1.3um-1.5um；
任意相邻两个所述子侧斜面的间隔距离为1.0um-1.4um。
2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述子侧斜面的外形轮廓呈三角形、矩形、梯形中的一种或多种。
3.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述子侧斜面的外形轮廓的高度为10um-15um。
4.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述子侧斜面的外形轮廓为等腰梯形，所述等腰梯形包括上底边、下底边以及两个腰，所述上底边或所述下底边与所述下底面相连接。
5.根据权利要求4所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述上底边的长度为1.0um-1.2um，所述下底边的长度为1.3um-1.4um。
6.一种根据权利要求1-5任一项所述的阵列基板的制作方法制作的阵列基板，其特征在于，包括：
平坦层，设有显示区和非显示区，所述平坦层在位于所述非显示区内设有环绕所述显示区的沟槽，所述沟槽包括下底面和位于所述下底面两侧的侧斜面；
其中，所述下底面与所述侧斜面之间的夹角为30°-45°；所述侧斜面包括多个间隔设置的子侧斜面，多个所述子侧斜面相互连接形成所述侧斜面。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述下底面与所述侧斜面之间的夹角为30°-35°。
8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求6或7所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
