[发明专利]一种复位电路及相关电子设备在审
申请号: | 202010077000.7 | 申请日: | 2020-01-23 |
公开(公告)号: | CN111200425A | 公开(公告)日: | 2020-05-26 |
发明(设计)人: | 朱飞龙;刘小兵;陈军;李大欣 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | H03K17/22 | 分类号: | H03K17/22 |
代理公司: | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 | 代理人: | 王仲凯 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 复位 电路 相关 电子设备 | ||
1.一种复位电路,其特征在于,包括:检测触发模块,复位触发模块以及复位控制模块、第一端点和第二端点,所述第一端点和所述第二端点用于连接网络接口模块中包括的网络接口中的不相同的两个针脚,所述复位控制模块至少包括光耦、第一电阻以及第二电阻;
所述检测触发模块接收到检测信号,触发所述复位触发模块向所述第二端点输出所述第一电流;
当所述第一端点与所述第二端点之间通过所述网络接口模块被短接,所述第一电流通过短接线路流入所述第一端点;
所述光耦的P极与所述第一电阻的第一端连接,所述光耦的N极接地,所述光耦的C极与处理器连接,所述光耦的E极接地,所述第一电阻的第二端与所述第一端点连接,所述第一电阻对所述第一电流进行限流,并导出第二电流,所述第二电流由所述光耦的P极流向所述光耦的N极,触发所述光耦的C极与E极之间导通,或者,所述光耦的P极与所述第一端点连接,所述光耦的N极与所述第一电阻的第一端连接,所述第一电阻的第二端接地,所述第一电流由所述光耦P极流向所述光耦的N极,触发所述光耦的C极与E极之间导通,光耦的N极导出的电流经过所述第一电阻后导入地面;
所述第二电阻的第一端与第一电源连接,所述第二电阻的第二端与处理器连接;
所述第一电源输出第三电流,所述第二电阻对所述第三电流进行限流,并导出第四电流,当所述光耦的C极与E导通之前,所述第四电流输入所述处理器,所述处理器接收第一电平信号;
当所述光耦的C极与E极导通之后,所述第四电流经过所述光耦的C极与E极所在的支路导入地面,所述处理器接收的电平信号由所述第一电平信号切换为所述第二电平信号,所述第一电平信号高于所述第二电平信号,所述第二电平信号用于指示所述处理器将所述电子设备恢复初始状态。
2.根据权利要求1所述的复位电路,其特征在于,所述复位控制模块还包括第一电容;
所述第一电容的第一端与所述光耦的C极连接,所述第一电容的第二端与所述光耦的E极连接;
当所述光耦的C极与E极导通之后,所述第四电流对所述第一电容充电,充电饱和之后的所述第一电容放电,放电后产生的电流导入地面,以便于去除由所述第一电平信号切换为所述第二电平信号过程中产生的信号抖动。
3.根据权利要求1或2所述的复位电路,其特征在于,所述复位触发模块至少包括金属氧化物半场效晶体管MOS管、第三电阻,所述检测触发模块包括三极管;
所述MOS管的S极与第二电源连接,D极与所述第二端点连接,G极与所述三极管的集电极连接;
所述第三电阻的第一端与所述第二电源连接,第二端与所述MOS管的G极连接;
当所述三极管工作在饱和区时,所述第二电源输出第五电流,所述第五电流包括第一支流与第二支流;
所述第三电阻对所述第一支流进行限流,并导出第六电流,所述第六电流通过所述三级管的集电极导入地面,所述第三电阻分担的电压为复位触发电压;
所述MOS管与所述第三电阻并联,所述MOS管的电压为所述复位触发电压,所述复位触发电压触发所述MOS管的S极与D极导通,所述第二支流输入所述MOS管的S极,所述MOS管的D极向所述第二端点导出所述第一电流。
4.根据权利要求3所述的复位电路,其特征在于,所述复位触发模块还包括第二电容;
所述第二电容的第一端与所述第二电源连接,第二端与所述MOS管的G极连接;
当所述三极管的集电极与发射极之间由中断状态切换为导通状态时,所述第一支流以及第二支流对所述第二电容充电,充电饱和之后的第二电容放电,将放电后产生的电流导入地面。
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