[发明专利]测量晶圆套刻精度的方法和设备、计算机可读存储介质

说明书

本申请公开了一种测量晶圆套刻精度的方法和设备、计算机可读存储介质。测量晶圆套刻精度的方法包括：确定测量晶圆套刻精度的第一测试点及第二测试点，第一测试点与第二测试点相对晶圆的中心对称；分别获取第一测试点及第二测试点对应的图形重合信号及对应的套刻精度，套刻精度包括第一套刻值及第二套刻值，第一测试点的第一套刻值与第二测试点的第一套刻值相反；确定单纯的第二图形信号与单纯的第二套刻值的对应关系，且根据第一测试点的第二图形信号及此对应关系，能够得到第一测试点的第二套刻值。本申请提供的测量晶圆套刻精度的方法能够区分总的套刻精度中由某一因素引起的第二套刻值，为工艺提供更多的参数信息。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种测量晶圆套刻精度的方法和设备、计算机可读存储介质。

背景技术

套刻精度(overlay，OVL)是指在光刻制造工艺中当前层的图案和前层图案的对准精度。由于集成电路芯片的制造是通过多层结构层叠而成，因此各层结构之间的套刻精度直接影响集成电路芯片的有效性及良品率。在集成电路芯片的制备工艺中，能够根据套刻精度的数据来调整制备集成电路芯片的工艺参数，以提高集成电路芯片的有效性及良品率。

但是，各层结构的套刻误差是由各种不同因素引起的，而传统测量晶圆套刻精度的方法仅能获取由各种不同因素综合引起的最终的套刻精度，无法区分各种不同因素对应引起的套刻误差，使得测量的套刻精度无法满足日益要求严格的工艺需求。

发明内容

本申请提供了一种测量晶圆套刻精度的方法，本申请提供的测量晶圆套刻精度的方法能够区分总的套刻精度中由某一因素引起的第二套刻值，为工艺提供更多的参数信息，以进改善后续工艺步骤，提高晶圆的良品率。

第一方面，本申请提供一种测量晶圆套刻精度的方法。所述晶圆包括前层图案层及层叠于所述前层图案层的当前图案层，所述当前图案层与所述前层图案层均设有若干一一对应的沟道孔。测量晶圆套刻精度的方法包括：

确定测量所述晶圆套刻精度的第一测试点及第二测试点，所述第一测试点与所述第二测试点相对所述晶圆中心对称；

分别获取所述第一测试点及所述第二测试点对应的图形重合信号；其中，每个所述图形重合信号均包括第一图形信号及第二图形信号，所述第一图形信号不同于所述第二图形信号，且所述第一测试点的第一图形信号与所述第二测试点的第一图形信号相反；

根据所述第一测试点的图形重合信号得到所述第一测试点的套刻精度，及根据所述第二测试点的图形重合信号得到所述第二测试点的套刻精度；其中，每个所述套刻精度均包括第一套刻值及第二套刻值，所述第一套刻值与所述第一图形信号一一对应，所述第二套刻值与所述第二图形信号一一对应，且所述第一测试点的第一套刻值与所述第二测试点的第一套刻值相反；

比对所述第一测试点的图形重合信号与所述第二测试点的图形重合信号，抵消所述第一测试点的第一图形信号与所述第二测试点的第一图形信号，以得到单纯的第二图形信号；

比对所述第一测试点的套刻精度与所述第二测试点的套刻精度，抵消所述第一测试点的第一套刻值与第二测试点的第一套刻值，以得到单纯的第二套刻值；

确定所述单纯的第二图形信号与所述单纯的第二套刻值的对应关系；其中，根据所述第一测试点的第二图形信号及所述单纯的第二图形信号与所述单纯的第二套刻值的对应关系，能够得到所述第一测试点的第二套刻值。

在一种实施方式中，所述第一图形信号为所述当前图案层相对所述前层图案层由第一因素产生的图形信号，所述第二图形信号为所述当前图案层相对所述前层图案层由第二因素产生的图形信号，所述第一因素为形成贯穿所述当前图案层中各沟道孔的刻蚀过程，所述第二因素为形成所述当前图案层中各沟道孔图案的光罩过程。

在一种实施方式中，所述第一测试点及所述第二测试点的数量均为N个，N为大于或等于3的整数，所述测量晶圆套刻精度的方法包括：