[发明专利]测量晶圆套刻精度的方法和设备、计算机可读存储介质

权利要求书

1.一种测量晶圆套刻精度的方法，所述晶圆包括前层图案层及层叠于所述前层图案层的当前图案层，所述当前图案层与所述前层图案层均设有若干一一对应的沟道孔，其特征在于，包括：

确定测量所述晶圆套刻精度的第一测试点及第二测试点，所述第一测试点与所述第二测试点相对所述晶圆中心对称；

分别获取所述第一测试点及所述第二测试点对应的图形重合信号；其中，每个所述图形重合信号均包括第一图形信号及第二图形信号，所述第一图形信号不同于所述第二图形信号，且所述第一测试点的第一图形信号与所述第二测试点的第一图形信号相反；

根据所述第一测试点的图形重合信号得到所述第一测试点的套刻精度，及根据所述第二测试点的图形重合信号得到所述第二测试点的套刻精度；其中，每个所述套刻精度均包括第一套刻值及第二套刻值，所述第一套刻值与所述第一图形信号一一对应，所述第二套刻值与所述第二图形信号一一对应，且所述第一测试点的第一套刻值与所述第二测试点的第一套刻值相反；

比对所述第一测试点的图形重合信号与所述第二测试点的图形重合信号，抵消所述第一测试点的第一图形信号与所述第二测试点的第一图形信号，以得到单纯的第二图形信号；

比对所述第一测试点的套刻精度与所述第二测试点的套刻精度，抵消所述第一测试点的第一套刻值与第二测试点的第一套刻值，以得到单纯的第二套刻值；

确定所述单纯的第二图形信号与所述单纯的第二套刻值的对应关系；其中，根据所述第一测试点的第二图形信号及所述单纯的第二图形信号与所述单纯的第二套刻值的对应关系，能够得到所述第一测试点的第二套刻值；

其中，所述第一图形信号为所述当前图案层相对所述前层图案层由第一因素产生的图形信号，所述第二图形信号为所述当前图案层相对所述前层图案层由第二因素产生的图形信号，所述第二因素不同于所述第一因素。

2.如权利要求1所述的测量晶圆套刻精度的方法，其特征在于，所述第一因素为形成贯穿所述当前图案层中各沟道孔的刻蚀过程，所述第二因素为形成所述当前图案层中各沟道孔图案的光罩过程。

3.如权利要求1所述的测量晶圆套刻精度的方法，其特征在于，所述第一测试点及所述第二测试点的数量均为N个，N为大于或等于3的整数，所述测量晶圆套刻精度的方法包括：

确定N对单纯的第二图形信号与单纯的第二套刻值的对应关系；

根据所述N对单纯的第二图形信号与单纯的第二套刻值的对应关系的变化趋势，确定标准第二图形信号与标准第二套刻值的对应关系。

4.如权利要求3所述的测量晶圆套刻精度的方法，其特征在于，所述确定标准第二图形信号与标准第二套刻值的对应关系之后，所述测量晶圆套刻精度的方法还包括：

获取待测点的图形重合信号，并区分所述待测点的第一图形信号与所述待测点的第二图形信号；

根据所述标准第二图形信号与所述标准第二套刻值的对应关系，确定所述待测点的第二套刻值。

5.如权利要求3所述的测量晶圆套刻精度的方法，其特征在于，在所述确定标准第二图形信号与标准第二套刻值的对应关系之后，所述测量晶圆套刻精度的方法还包括：

确定标准第一图形信号与标准第一套刻值的对应关系；其中，所述标准第一图形信号为所述当前图案层相对所述前层图案层仅由第一因素产生的图形信号，所述标准第一套刻值为所述当前图案层相对所述前层图案层仅由所述第一因素产生的对准偏差值。

6.如权利要求5所述的测量晶圆套刻精度的方法，其特征在于，所述确定标准第一图形信号与标准第一套刻值的对应关系之后，所述测量晶圆套刻精度的方法还包括：

获取待测点的图形重合信号，并区分所述待测点的第一图形信号与所述待测点的第二图形信号；

根据所述标准第一图形信号与所述标准第一套刻值的对应关系，确定所述待测点的第一套刻值。