[发明专利]形成层结构的方法、层结构、形成接触结构的方法、形成芯片封装的方法和芯片封装

权利要求书

1.形成层结构的方法，所述方法包括：

形成附接到金属表面的亲核基团；

形成共价键合到所述亲核基团的有机层，

其中所述有机层包含至少一种选自由以下物质组成的组的有机材料：

N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷；

(3-三甲氧基甲硅烷基丙基)二亚乙基三胺；

环氨基硅烷2,2-二甲氧基-1,6-二氮杂-2-硅杂环辛烷；

氨基丙基三甲氧基硅烷；

(氨基乙基氨基甲基)苯乙基三甲氧基硅烷；

双(三乙氧基甲硅烷基丙基)胺；

双(三甲氧基甲硅烷基丙基)胺；

N,N'-双(3-(三甲氧基甲硅烷基)丙基)乙二胺；

双(三乙氧基甲硅烷基)乙烷；

3-氨基-5-巯基-1,2,4-三唑；

3-巯基丙基三甲氧基硅烷；以及

3-巯基丙基三乙氧基硅烷。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中形成所述亲核基团包括对所述金属表面进行等离子体处理。

3.形成层结构的方法，所述方法包括：

用含氢等离子体对金属表面进行等离子体处理，从而在所述金属表面上方形成亲核基团；以及

在所述金属表面上方形成有机层，其中所述有机层包含硅烷或由硅烷组成，并且共价键合到所述亲核基团。

4.形成层结构的方法，所述方法包括：

通过原子层沉积在金属表面上方形成氧化物层，其中所述氧化物层包含亲核基团；以及

在所述氧化物层上方形成有机层，其中所述有机层包含硅烷或由硅烷组成，并且共价键合到所述亲核基团。

5.根据权利要求4所述的方法，其进一步包括：

用含氢等离子体对所述氧化物层进行等离子体处理，其中通过所述等离子体处理形成至少一部分所述亲核基团。

6.根据权利要求2、3或5所述的方法，

其中所述等离子体包含至少一种选自包括以下各项的组的等离子体：

Ar/H₂；

Ar/H₂/O₂；

H₂/O₂；

N₂/H₂O；

NH₃；以及

H₂。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，

其中所述亲核基团包含-OH-基团、-NH₂-基团和/或-CN-基团，或由-OH-基团、-NH₂-基团和/或-CN-基团组成。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，

其中形成所述有机层包括浸入溶液中、喷雾沉积、气相沉积和/或等离子体沉积。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其进一步包括：

在所述有机层上方形成封装层。

10.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，

其中形成所述有机层包括：

在形成所述亲核基团之后，在所述金属表面上方并且与所述亲核基团接触地布置液体封装材料，在所述液体封装材料中分散有用于形成所述有机层的有机材料，从而形成所述有机层和在所述有机层上方的封装层。

11.根据权利要求1-10中任一项所述的方法，

其中所述金属表面和非金属表面形成共同的外表面；并且

其中所述亲核基团包含附接到所述金属表面的第一部分亲核基团和附接到所述非金属表面的第二部分亲核基团，所述第一部分亲核基团和所述第二部分亲核基团同时形成。