[发明专利]半导体型碳纳米管的获取方法

说明书

一种半导体型碳纳米管的获取方法，包括：提供一包括镂空部分和非镂空部分的绝缘基底，在该非镂空部分设置多个电极，且该多个电极被镂空部分间隔开；在设置有电极的绝缘基底上生长多个碳纳米管，该多个碳纳米管平行间隔设置于所述绝缘基底的表面并与电极直接接触，且在所述镂空部分的碳纳米管悬空设置；将所述绝缘基底、电极以及碳纳米管形成的整体结构放置到一腔体内，并对该腔体抽真空；在任意两个电极之间施加电压，并采用一相机对两个电极之间悬空设置的碳纳米管进行拍照获得碳纳米管照片，其中，碳纳米管照片中亮度较暗的为半导体型碳纳米管，亮度较亮的为金属型碳纳米管；去除所述金属型碳纳米管，获取到半导体型碳纳米管。

技术领域

本发明涉及一种半导体型碳纳米管的获取方法。

背景技术

单壁碳纳米管是一种非常具有研究潜能的纳米材料。基于其纳米级的尺寸以及特殊的结构，单壁碳纳米管具有良好的电学性能、光电性能以及半导体性能。单壁碳纳米管可以分为金属型和半导体型两种类型。其中，半导体型碳纳米管是一种优异的半导体材料，其在半导体器件中应用广泛。因此，找到一种辨认半导体型碳纳米管以及获取半导体碳纳米管的方法十分重要。

传统的获取半导体碳纳米管的方法通常采用拉曼光谱法或者电学测量的方法分辨出半导体型碳纳米管之后进行获取。但是上述方法由于操作复杂导致效率较低。扫描电镜因其具有较高的辨别效率，被越来越多的人用来分辨半导体型碳纳米管。现有的采用扫描电子显微镜辨认半导体型碳纳米管的方法中，一般将碳纳米管放置在一硅衬底上，在常压下施加外部电压，并采用扫描电子显微镜观察，通过扫描电子显微镜照片中碳纳米管的亮度不同来分辨半导体碳纳米管。

然而，现有半导体型碳纳米管的辨认和获取方法中碳纳米管直接与硅基底接触，硅衬底会吸收大量的热量，因此需要施加很大的外部电压才能辨认出半导体型碳纳米管，浪费资源；而且现有半导体型碳纳米管需要扫描子显微镜进行观察，成本较高；另外，在常压下加电压碳纳米管非常容易氧化，很难获取纯净的半导体型碳纳米管。

发明内容

有鉴于此，确有必要提供一种半导体型碳纳米管的辨认方法和获取方法，该半导体型碳纳米管的辨认方法和获取方法可以克服以上缺点。

一种半导体型碳纳米管的获取方法，其包括以下步骤：

步骤S1，提供一绝缘基底，该绝缘基底包括镂空部分和非镂空部分交替分布，在该绝缘基底的的表面设置多个电极，且该多个电极位于非镂空部分的上方且该多个电极被镂空部分间隔开；

步骤S2，在绝缘基底上生长多个碳纳米管，该多个碳纳米管平行间隔设置于所述绝缘基底的表面并与所述多个电极直接接触，该多个碳纳米管横跨多个镂空部分，位于所述绝缘基底的镂空部分的碳纳米管悬空设置；

步骤S3，将所述绝缘基底、电极以及碳纳米管形成的整体结构放置到一腔体内，并对该腔体抽真空；

步骤S4，在任意两个电极之间施加电压，并采用一相机对两个电极之间悬空设置的碳纳米管进行拍照获得碳纳米管照片，其中，碳纳米管照片中亮度较暗的为半导体型碳纳米管，亮度较亮的为金属型碳纳米管；以及

步骤S5：去除所述金属型碳纳米管，进而得到所述半导体型碳纳米管。

一种半导体型碳纳米管的辨认方法，包括以下步骤：

步骤S′1，提供一绝缘基底，该绝缘基底包括镂空部分和非镂空部分交替分布，在该绝缘基底的非镂空部分设置多个电极，且该多个电极被镂空部分间隔开；

步骤S′2，在绝缘基底上生长多个碳纳米管，该多个碳纳米管平行间隔设置于所述绝缘基底的表面并与所述多个电极直接接触，位于所述绝缘基底的镂空部分的碳纳米管悬空设置；

步骤S′3，将所述绝缘基底、电极以及碳纳米管形成的整体结构放置到一腔体内，并对该腔体抽真空；以及