[发明专利]一种同时检测黄曲霉毒素B1和赭曲霉毒素A的比率电化学适配体传感器的制备方法

权利要求书

1.一种用于同时检测黄曲霉毒素B1和赭曲霉毒素A的比率电化学适配体传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）将金电极AuE依次用不同粒径的三氧化二铝粉末打磨，并依次在乙醇和水中超声清洗，然后在硫酸溶液中使用循环伏安对电极进行电化学清洗；

（2）将蒽醌-2-羧酸标记的互补发夹DNA即AQ-hDNA，修饰到经步骤（1）处理后的电极上，室温条件下存放一段时间，利用金-硫键将AQ-hDNA固定在金电极表面；

（3）将巯基己醇修饰在步骤（2）处理后的电极上，室温条件下孵育一段时间，以封闭金的非特异性结合位点；

（4）将二茂铁标记的黄曲霉毒素B1适配体Fc-Apt1修饰在步骤（3）处理后的电极上，在一定温度条件下反应一段时间，利用其与hDNA的互补杂交将Fc-Apt1组装在电极上；

（5）将亚甲蓝标记的赭曲霉毒素A适配体MB-Apt2修饰在步骤（4）处理后的电极上，在一定温度条件下反应一段时间，利用其与hDNA的互补杂交进一步将MB-Apt2组装在电极上，得到比率电化学适配体传感器，记为Fc-Apt1MB-Apt2/MCH/AQ-hDNA/AuE。

2. 根据权利要求1所述的一种用于同时检测黄曲霉毒素B1和赭曲霉毒素A的比率电化学适配体传感器的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，金电极的直径为2或3 mm；所用的三氧化二铝粉末的粒径依次为0.3 µm和0.05 µm；所述循环伏安的扫描速率为50或100 mV/s，扫描电位范围为-0.2~1.6 V；所述硫酸溶液的浓度为0.01~0.1 M。

3. 根据权利要求1所述的一种用于同时检测黄曲霉毒素B1和赭曲霉毒素A的比率电化学适配体传感器的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，所述AQ-hDNA修饰的用量为4~8 µL，所述AQ-hDNA的浓度为1~8 µM，所述室温条件下存放一段时间为4~12小时。

4. 根据权利要求1所述的一种用于同时检测黄曲霉毒素B1和赭曲霉毒素A的比率电化学适配体传感器的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，MCH的用量为4~8 µL，浓度为0.01~10mM；所述室温条件下孵育一段时间为0.5~2小时。

5. 根据权利要求1所述的一种用于同时检测黄曲霉毒素B1和赭曲霉毒素A的比率电化学适配体传感器的制备方法，其特征在于，步骤（4）中，Fc-Apt1的用量为4~8 µL，浓度为1~8µM；所述一定温度条件为37 ℃，反应时间为1~2小时。

6. 根据权利要求1所述的一种用于同时检测黄曲霉毒素B1和赭曲霉毒素A的比率电化学适配体传感器的制备方法，其特征在于，步骤（5）中，MB-Apt2的用量为4~8 µL，浓度为1~8µM；所述一定温度条件为37 ℃，反应时间为1~2小时。