[发明专利]高阶温度补偿电路以及低温漂电压基准电路在审
申请号: | 202010040760.0 | 申请日: | 2020-01-14 |
公开(公告)号: | CN111176364A | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 陆航;蔡小五;韩郑生;刘海南;罗家俊 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567 |
代理公司: | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人: | 房德权 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 温度 补偿 电路 以及 低温 电压 基准 | ||
本发明公开了一种高阶温度补偿电路以及低温漂电压基准电路,所述高阶温度补偿电路包括第一电流求和电路、第一电阻以及第一PNP三极管;所述第一电流求和电路用于对第一电流和第二电流进行求和,获得第三电流,其中,所述第一电流与温度正线性相关,所述第二电流与温度负相关;所述第一PNP三极管的发射极连接所述第一电阻的一端并适于接收所述第三电流,所述第三PNP三极管的集电极连接所述第三PNP三极管的基极并接地;所述第一电阻的另一端连接所述第二电流流过的支路。本发明提供的高阶温度补偿电路以及低温漂电压基准电路,所述高阶温度补偿电路具有结构简单、面积小的特性。
技术领域
本发明涉及集成电路技术领域,具体涉及一种高阶温度补偿电路以及低温漂电压基准电路。
背景技术
电压基准电路由于具有低温漂系数、高电源抑制比等优点,被广泛应用于各类模拟电路中。电压基准电路输出电压的稳定性以及抗噪声能力,影响着整个系统的精度和可靠性。随着对应用系统精度要求的提高,传统的电压基准电路已无法满足高精度和高可靠性的要求。因此,对超低温漂甚至零温度系数的电压基准电路的需求变得十分迫切。通常,基准电压根据与温度正线性相关的电流以及与温度负线性相关的电流获得,为了获得所述与温度负线性相关的电流,需要采用高阶温度补偿电路对与温度负相关的电流进行补偿,以消除所述与温度负相关的电流中的高阶成分。然而,传统的高阶温度补偿电路存在电路复杂、占据面积大的问题。
发明内容
本发明所要解决的是电压基准电路中的高阶温度补偿电路复杂、占据面积大的问题。
本发明通过下述技术方案实现:
一种高阶温度补偿电路,包括第一电流求和电路、第一电阻以及第一PNP三极管;
所述第一电流求和电路用于对第一电流和第二电流进行求和,获得第三电流,其中,所述第一电流与温度正线性相关,所述第二电流与温度负相关;
所述第一PNP三极管的发射极连接所述第一电阻的一端并适于接收所述第三电流,所述第三PNP三极管的集电极连接所述第三PNP三极管的基极并接地;
所述第一电阻的另一端连接所述第二电流流过的支路。
可选的,所述第一电流求和电路包括并联的第一电流镜像支路和第二电流镜像支路;
所述第一电流镜像支路用于对所述第一电流进行镜像;
所述第二电流镜像支路用于对所述第二电流进行镜像。
可选的,所述第一电流镜像支路包括第一PMOS晶体管,所述第二电流镜像支路包括第二PMOS晶体管;
所述第一PMOS晶体管的源极连接所述第二PMOS晶体管的源极并适于接收电源电压,所述第一PMOS晶体管的栅极适于接收第一偏置电压,所述第一PMOS晶体管的漏极连接所述第二PMOS晶体管的漏极并适于产生所述第三电流;
所述第二PMOS晶体管的栅极适于接收第二偏置电压。
基于同样的发明构思,本发明还提供一种低温漂电压基准电路,包括第一电流产生电路、第二电流产生电路、第二电流求和电路、转换电路以及上述高阶温度补偿电路;
所述第一电流产生电路用于产生所述第一电流;
所述第二电流产生电路用于产生所述第二电流;
所述高阶温度补偿电路用于对所述第二电流进行补偿;
所述第二求和电路用于对所述第一电流和补偿后的所述第二电流进行求和,获得第四电流;
所述转换电路用于将所述第四电流转换为基准电压。
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