[发明专利]高阶温度补偿电路以及低温漂电压基准电路

权利要求书

1.一种高阶温度补偿电路，其特征在于，包括第一电流求和电路、第一电阻以及第一PNP三极管；

所述第一电流求和电路用于对第一电流和第二电流进行求和，获得第三电流，其中，所述第一电流与温度正线性相关，所述第二电流与温度负相关；

所述第一PNP三极管的发射极连接所述第一电阻的一端并适于接收所述第三电流，所述第三PNP三极管的集电极连接所述第三PNP三极管的基极并接地；

所述第一电阻的另一端连接所述第二电流流过的支路。

2.根据权利要求1所述的高阶温度补偿电路，其特征在于，所述第一电流求和电路包括并联的第一电流镜像支路和第二电流镜像支路；

所述第一电流镜像支路用于对所述第一电流进行镜像；

所述第二电流镜像支路用于对所述第二电流进行镜像。

3.根据权利要求2所述的高阶温度补偿电路，其特征在于，所述第一电流镜像支路包括第一PMOS晶体管，所述第二电流镜像支路包括第二PMOS晶体管；

所述第一PMOS晶体管的源极连接所述第二PMOS晶体管的源极并适于接收电源电压，所述第一PMOS晶体管的栅极适于接收第一偏置电压，所述第一PMOS晶体管的漏极连接所述第二PMOS晶体管的漏极并适于产生所述第三电流；

所述第二PMOS晶体管的栅极适于接收第二偏置电压。

4.一种低温漂电压基准电路，其特征在于，包括第一电流产生电路、第二电流产生电路、第二电流求和电路、转换电路以及权利要求1至3任一项所述的高阶温度补偿电路；

所述第一电流产生电路用于产生所述第一电流；

所述第二电流产生电路用于产生所述第二电流；

所述高阶温度补偿电路用于对所述第二电流进行补偿；

所述第二求和电路用于对所述第一电流和补偿后的所述第二电流进行求和，获得第四电流；

所述转换电路用于将所述第四电流转换为基准电压。

5.根据权利要求4所述的低温漂电压基准电路，其特征在于，所述第一电流产生电路包括第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管、第二电阻、第二PNP三极管、第三PNP三极管以及第一运算放大器，所述第三PMOS晶体管的宽长比和所述第四PMOS晶体管的宽长比相等；

所述第三PMOS晶体管的源极连接所述第四PMOS晶体管的源极并适于接收电源电压，所述第三PMOS晶体管的漏极连接所述第二PNP三极管的发射极和所述第一运算放大器的反相输入端，所述第三PMOS晶体管的栅极连接所述第四PMOS晶体管的栅极和所述第一运算放大器的输出端；

所述第四PMOS晶体管的漏极连接所述第二电阻的一端和所述第一运算放大器的同相输入端；

所述第二电阻的另一端连接所述第三PNP三极管的发射极；

所述第二PNP三极管的集电极连接所述第二PNP三极管的基极并接地，所述第三PNP三极管的集电极连接所述第三PNP三极管的基极并接地。

6.根据权利要求5所述的低温漂电压基准电路，其特征在于，所述第二电流产生电路包括第五PMOS晶体管、第三电阻以及第二运算放大器；

所述第五PMOS晶体管的源极适于接收所述电源电压，所述第五PMOS晶体管的漏极连接所述第三电阻的一端、所述第二运算放大器的同相输入端以及所述第一电阻的另一端，所述第五PMOS晶体管的栅极连接所述第二运算放大器的输出端；

所述第二运算放大器的反相输入端连接所述第二电阻的一端；

所述第三电阻的另一端接地。

7.根据权利要求6所述的低温漂电压基准电路，其特征在于，所述第二求和电路包括第六PMOS晶体管和第七PMOS晶体管，所述转换电路包括第四电阻；

所述第六PMOS晶体管的源极连接所述第七PMOS晶体管的源极并适于接收所述电源电压，所述第六PMOS晶体管的栅极连接所述第三PMOS晶体管的栅极，所述第六PMOS晶体管的漏极连接所述第七PMOS晶体管的漏极以及所述第四电阻的一端并适于产生所述基准电压；

所述第七PMOS晶体管的栅极连接所述第五PMOS晶体管的栅极；

所述第四电阻的另一端接地。