[发明专利]阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在第一阻挡膜层远离第一有机膜层的一侧表面设置一层金属膜层；所述第一阻挡膜层和所述第一有机膜层相层叠；

对第一有机膜层的待刻蚀隔离槽的区域对应的所述金属膜层和所述第一阻挡膜层进行刻蚀，形成开口槽；所述开口槽的底部为第一有机膜层的待刻蚀隔离槽的区域，所述开口槽的侧壁包括所述金属膜层的侧壁和所述第一阻挡膜层的侧壁；

在所述金属膜层上设置一层光刻胶层，对所述光刻胶层进行图形化，使得图形化的所述光刻胶层覆盖所述金属膜层的上表面；

以图形化的所述光刻胶层和刻蚀后的所述金属膜层作为掩膜，对所述第一有机膜层的待刻蚀隔离槽的区域进行刻蚀，形成隔离槽。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在第一阻挡膜层远离第一有机膜层的一侧表面设置一层金属膜层之前，还包括：

对所述第一阻挡膜层上的无机膜层进行刻蚀，使得所述第一阻挡膜层的待设置金属膜层的区域露出。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述对第一有机膜层的待刻蚀隔离槽的区域对应的所述金属膜层和所述第一阻挡膜层进行刻蚀，形成开口槽，包括：

对与第一有机膜层的待刻蚀隔离槽的区域对应的所述金属膜层进行刻蚀，形成所述开口槽的第一开口；所述第一开口底部为所述第一阻挡膜层的待刻蚀区域，所述第一开口的侧壁为所述金属膜层的侧壁；

对所述第一阻挡膜层的待刻蚀区域进行刻蚀，形成开口槽的第二开口；所述第二开口的底部为第一有机膜层的待刻蚀隔离槽的区域，所述第二开口的侧壁为所述第一阻挡膜层的侧壁；或者，

对与第一有机膜层的待刻蚀隔离槽的区域对应的所述金属膜层和所述第一阻挡膜层同时进行刻蚀，形成开口槽。

4.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述以图形化的所述光刻胶层和刻蚀后的所述金属膜层作为掩膜，对所述第一有机膜层的待刻蚀隔离槽的区域进行刻蚀，形成隔离槽，包括：

以图形化的所述光刻胶层和刻蚀后的所述金属膜层作为掩膜，对所述第一有机膜层的待刻蚀隔离槽的区域进行刻蚀，形成隔离槽，并使得所述隔离槽的侧壁向所述第一有机膜层的外侧凸出，形成内凹结构。

5.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述金属膜层为SD膜层，所述SD膜层刻蚀后形成斜面。

6.一种阵列基板，其特征在于，包括依次层叠设置的金属膜层、第一阻挡膜层、第一有机膜层和基底层；

所述第一有机膜层开设有隔离槽；

所述金属膜层和第一阻挡膜层开设有刻蚀后的开口槽；

刻蚀后的所述开口槽的侧壁包括所述金属膜层的侧壁和所述第一阻挡膜层被刻蚀后的分段侧壁，所述开口槽的底部与所述隔离槽连通；

刻蚀后的所述开口槽和所述隔离槽内填充有发光材料。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述隔离槽的侧壁向所述第一有机膜层的外侧凸出，形成内凹结构；

所述内凹结构向所述第一有机膜层的外侧凸出的最大横向长度为1μm-2μm。

8.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括以下至少一项：

所述金属膜层为SD膜层、所述金属膜层的侧壁为斜面、所述第一有机膜层为第一聚酰亚胺层。

9.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括无机膜层，所述无机膜层层叠设置在所述第一阻挡膜层上；

所述无机膜层包括依次层叠设置的夹层介电层、栅极绝缘层GI、缓冲膜层。

10.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述基底层包括第二阻挡膜层和第二有机膜层；

所述第二阻挡膜层和第二有机膜层依次层叠设置在第一有机膜层的下方。

11.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求6-10中任一项所述的阵列基板。