[发明专利]一种高分散二氧化硅的制备方法

权利要求书

1.一种高分散二氧化硅的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、溶液配制：取固体硅酸钠与去离子水加入密封搅拌装置内，控制压强为152-228cm汞柱，设定温度为40-56℃，搅拌速度为120-150r/min，预搅拌30mins至硅酸钠完全溶解，获得浓度为0.048-0.052mol/L的稀硅酸钠溶液；

步骤2、制备晶种：将稀硅酸钠溶液加入第一反应釜中，设定温度为40-42℃，搅拌速度为120-150r/min，并向第一反应釜中缓慢加入浓度为0.1-1mol/L的硫酸，至混合液的PH达到6-7时，在设定温度下保温老化2h，获得晶种；

步骤3、浆液制备：取晶种加入第二反应釜中，并向第二反应釜中加入温度为70-80℃的温水，控制温度为70-80℃，搅拌速度为120-150r/min，再向第二反应釜中加入步骤1中获得的稀硅酸钠溶液，至该混合液的PH达到10-11时，停止加入稀硅酸钠溶液，并开始向第二反应釜中加入浓度为0.1-1mol/L的硫酸，至PH达到3-4时，停止加入硫酸，保温老化1h，获得浆液；

步骤4：二氧化硅获得：将浆液自然冷却至室温，洗涤压滤后获得沉淀物，再将沉淀物以及按重量份比为1:2的无水乙醇和去离子水加入高速胶体磨内进行打浆、喷雾干燥处理，获得二氧化硅。

2.根据权利要求1所述的一种高分散二氧化硅的制备方法，其特征在于：所述高速胶体磨包括机体外壳(1)以及从上至下插接在所述机体外壳(1)内并由电机(2)驱动的转动轴(3)，所述转动轴(3)从上至下固定连接有多根直桨叶(31)，并在所述转动轴(3)的底部连接有环形桨叶(32)，所述机体外壳(1)内的顶端还转动连接有对进料初磨的磨体机构(4)，所述磨体机构(4)将机体外壳(1)分为上下两个内腔，所述磨体机构(4)的上端与机体外壳(1)上端的内腔连接，下端与机体外壳(1)下端的内腔连接，且所述机体外壳(1)的上下两端分别设置有与上端的内腔连通的进料口(12)以及与下端的内腔连通的出料口(13)。

3.根据权利要求2所述的一种高分散二氧化硅的制备方法，其特征在于：所述直桨叶(31)上设置有多个齿口(33)，相邻两个所述齿口(33)之间的间距大小与距离所述转动轴(3)的距离成反比。

4.根据权利要求2所述的一种高分散二氧化硅的制备方法，其特征在于：所述环形桨叶(32)包括多个等弧度排列的水平环圈。

5.根据权利要求2所述的一种高分散二氧化硅的制备方法，其特征在于：所述磨体机构(4)包括上转部(41)、下转部(42)以及位于所述上转部(41)和下转部(42)之间的转芯(44)，所述上转部(41)和下转部(42)固定连接，所述转动轴(3)与所述上转部(41)、下转部(42)以及转芯(44)的轴线重合并与转芯(44)固定连接，所述上转部(41)的上端设置有将所述机体外壳(1)上端内腔内的进料导入上转部(41)和下转部(42)之间的固定进料盖(43)，所述下转部(42)设置有将所述上转部(41)和下转部(42)之间的物料导入所述机体外壳(1)下端内腔内的出料道(421)。

6.根据权利要求5所述的一种高分散二氧化硅的制备方法，其特征在于：所述转芯(44)的上下两侧侧面均设置有多个从内至外等间距排列的主动环齿(442)，多个所述主动环齿(442)的轴线重合，并在相邻两个所述主动环齿(442)之间形成有主动插槽(443)；所述上转部(41)的下侧和下转部(42)的上侧均设置有与相应一侧的所述主动环齿(442)匹配的被动环齿(5)，相邻两个所述被动环齿(5)之间形成有被动插槽(52)，所述主动环齿(442)插入所述被动插槽(52)内且所述被动环齿(5)插入所述主动插槽(443)内。

7.根据权利要求6所述的一种高分散二氧化硅的制备方法，其特征在于：所述转芯(44)的外周侧壁上设置有斜纹体(441)，所述下转部(42)上侧的外边缘设置有泄流槽(4211)，所述出料道(421)的一端与所述泄流槽(4211)连通且另一端位于所述下转部(42)靠近轴线一端的下侧壁上。