[发明专利]晶圆边缘保护层的形成方法、三维存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种晶圆边缘保护层的形成方法，其特征在于，所述方法包括：

提供晶圆；

在所述晶圆边缘处形成中间保护层，所述中间保护层通过第一工艺气体与暴露的晶圆材料发生化学反应而生成；

在所述中间保护层上形成主保护层；

所述形成中间保护层，包括：

将所述第一工艺气体电离形成等离子态，通过等离子态的所述第一工艺气体与暴露的所述晶圆材料发生化学反应而生成所述中间保护层。

2.根据权利要求1所述的晶圆边缘保护层的形成方法，其特征在于，所述第一工艺气体包括含氧气体和/或含氮气体。

3.根据权利要求2所述的晶圆边缘保护层的形成方法，其特征在于，所述第一工艺气体包括以下至少之一：N₂O、NH₃、O₂。

4.根据权利要求1所述的晶圆边缘保护层的形成方法，其特征在于，所述形成主保护层，包括：

通过第二工艺气体与第三工艺气体发生化学反应而生成所述主保护层；所述第二工艺气体包括含氧气体和/或含氮气体；所述第三工艺气体包括含硅气体。

5.根据权利要求1所述的晶圆边缘保护层的形成方法，其特征在于，所述中间保护层的材料与所述主保护层的材料相同。

6.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供叠栈结构，所述叠栈结构至少包括形成在晶圆上的第一叠层结构，以及形成在所述第一叠层结构上的第二叠层结构；其中，所述第一叠层结构中具有第一沟道通孔，所述第一沟道通孔内填充有牺牲层；所述第二叠层结构中具有第二沟道通孔，所述第二沟道通孔暴露所述第一沟道通孔内的所述牺牲层；

采用权利要求1至5中任意一项所述的晶圆边缘保护层的形成方法，在所述晶圆边缘处形成中间保护层和主保护层；

去除所述第一沟道通孔内的所述牺牲层。

7.一种三维存储器，其特征在于，包括：半导体衬底以及位于所述半导体衬底上表面的存储器件层；其中，

在所述半导体衬底边缘处还包括中间保护层，所述中间保护层通过第一工艺气体与半导体衬底发生化学反应而生成；

在所述中间保护层上还包括主保护层；

其中，所述中间保护层和所述主保护层由权利要求1-6中任意一项所述的晶圆边缘保护层的形成方法形成。

8.根据权利要求7所述的三维存储器，其特征在于，所述第一工艺气体包括含氧气体和/或含氮气体。

9.根据权利要求8所述的三维存储器，其特征在于，所述第一工艺气体包括以下至少之一：N₂O、NH₃、O₂。

10.根据权利要求8所述的三维存储器，其特征在于，所述中间保护层的材料与所述主保护层的材料相同。