[发明专利]一种钨掺杂二氧化钒薄膜及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种钨掺杂二氧化钒薄膜，其特征在于，所述钨掺杂二氧化钒薄膜的膜厚为20～40nm，相变温度为25～45℃，可见光透过率为50～60％。

2.根据权利要求1所述钨掺杂二氧化钒薄膜，其特征在于，所述钨掺杂二氧化钒薄膜的膜厚为20～30nm，相变温度为25～35℃。

3.一种如权利要求1或2所述钨掺杂二氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

采用双靶磁控溅射在基底表面形成钨掺杂钒薄膜；

将所述钨掺杂钒薄膜进行退火处理，得到钨掺杂二氧化钒薄膜。

4.根据权利要求3所述钨掺杂二氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，所述基底为FTO玻璃、石英玻璃、蓝宝石或云母片中的一种。

5.根据权利要求3所述钨掺杂二氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，所述双靶磁控溅射的过程具体为：将所述基底置于磁控溅射真空室中，以钒靶和钨靶作为靶材，通入氩气，对所述钒靶和钨靶进行预溅射和共溅射。

6.根据权利要求5所述钨掺杂二氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，所述预溅射的过程中，真空室的真空度为1.5×10^-3～3.2×10^-3Pa，所述氩气的通量为180～250sccm，预溅射工作气压为0.1～1.0pa，所述钒靶的直流磁控溅射功率为65～105W，所述钨靶的射频磁控溅射功率为8～15W，所述预溅射的时间为10～30min。

7.根据权利要求5所述钨掺杂二氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，所述共溅射的过程中，所述氩气的通量为180～210sccm，沉积工作气压为0.05～0.2pa；所述钒靶的直流磁控溅射功率为105～135W，所述钨靶的射频磁控溅射功率为3～10W，所述共溅射的时间为1～6min。

8.根据权利要求3所述钨掺杂二氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，所述双靶磁控溅射的过程中，所述基底温度为60～120℃。

9.根据权利要求3所述钨掺杂二氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，所述退火处理的过程中，以5～15℃/min的升温速度升温至350～450℃，保温45～100min，随后缓慢冷却至50～70℃。

10.一种如权利要求1或2所述钨掺杂二氧化钒薄膜在智能窗玻璃方面的应用。