[发明专利]固态成像器件及固态成像器件的制造方法在审
申请号: | 202010017368.4 | 申请日: | 2014-06-20 |
公开(公告)号: | CN111276501A | 公开(公告)日: | 2020-06-12 |
发明(设计)人: | 桝田佳明;宫波勇树;阿部秀司;平野智之;山口征也;蛯子芳树;渡边一史;荻田知治 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/0203;H01L31/0232;H04N5/369;G02B1/118 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 李晗;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 器件 制造 方法 | ||
1.一种固态成像器件,其特征在于,包括:
基板;
第一光电转换区域,设置于所述基板;
第二光电转换区域,与所述第一光电转换区域相邻地设置于所述基板;
沟槽,深度大于宽度,且设置在所述第一光电转换区域与所述第二光电转换区域之间;
第一蛾眼结构,在所述第一光电转换区域的上方设置于所述基板的光接收表面侧;
第二蛾眼结构,在所述第二光电转换区域的上方设置于所述基板的光接收表面侧;
绝缘膜,折射率小于所述基板的折射率,并且设置于所述沟槽内的至少一部分,且设置在所述第一蛾眼结构和所述第二蛾眼结构的上方;以及
遮光膜,设置于所述绝缘膜的上方且所述沟槽的上方。
2.如权利要求1所述的固态成像器件,其中,
所述第一蛾眼结构和所述第二蛾眼结构具有凹入部,
在从剖面观察时,所述凹入部的第一侧的侧面与所述沟槽的第一侧的侧面不平行。
3.如权利要求1所述的固态成像器件,其中,
所述遮光膜设置于所述基板的上方,
在从剖面观察时,所述绝缘膜中的与所述遮光膜相接的区域整体平坦。
4.如权利要求3所述的固态成像器件,其还包括:
第二绝缘膜,设置在所述绝缘膜的上方,且设置成与所述遮光膜的侧面相接。
5.如权利要求4所述的固态成像器件,其中,所述第二绝缘膜设置成与所述遮光膜的顶面相接。
6.如权利要求4或5所述的固态成像器件,其中,所述第二绝缘膜包含与所述绝缘膜相同的材料。
7.如权利要求1所述的固态成像器件,其中,所述遮光膜包含金属。
8.如权利要求1所述的固态成像器件,其中,所述遮光膜为铝。
9.如权利要求1所述的固态成像器件,其中,在从剖面观察时,所述沟槽的侧面呈锥形。
10.如权利要求9所述的固态成像器件,其中,所述锥形为0至30°范围内的正常锥形。
11.如权利要求1所述的固态成像器件,其还包括:
第一像素,具有所述第一光电转换区域和所述第一蛾眼结构;以及
第二像素,具有所述第二光电转换区域和所述第二蛾眼结构。
12.如权利要求11所述的固态成像器件,其中,在所述沟槽内的至少一部分,填充有将所述第一像素与所述第二像素光学地隔离的具有遮光性能的遮光材料。
13.如权利要求1所述的固态成像器件,其中,在所述沟槽内的至少一部分填充有金属。
14.如权利要求1所述的固态成像器件,其中,
所述第一蛾眼结构或所述第二蛾眼结构使光漫射,
所述沟槽使所述光反射。
15.如权利要求11所述的固态成像器件,其中,
所述第一像素在所述第一蛾眼结构的上方具有第一滤色层,
所述第二像素在所述第二蛾眼结构的上方具有第二滤色层。
16.如权利要求15所述的固态成像器件,其中,
所述第一蛾眼结构具有两个以上的凹入部,
所述第二蛾眼结构具有两个以上的凹入部。
17.如权利要求15所述的固态成像器件,其中,在从剖面观察时,所述第一蛾眼结构的宽度为所述第一滤色层的宽度的大约80%。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的