[发明专利]一种基于金属二聚体近场耦合波导模式的表面增强拉曼散射芯片及其制备方法和工作方式

权利要求书

1.一种基于金属二聚体近场耦合波导模式的表面增强拉曼散射芯片的制备方法，其步骤如下：

a)在干净且干燥的折射率为1.516的BK-7玻璃片上，生长35nm厚的银膜，再生长一层600nm厚折射率为1.480的二氧化硅，得到平面介质波导片；

b)所得的波导片的二氧化硅层表面用氧等离子体处理，获得亲水表面；

c)将两侧通孔的阳极氧化铝（AAO）模板转移至波导片二氧化硅层表面，得到附有AAO的波导片；

d)固定蒸发源与附有AAO的波导片的法线之间夹角为10°，蒸镀30nm厚的具有表面增强活性的金属膜；再将夹角调整为方向相反的-10°后，蒸镀39nm厚的具有表面增强活性的金属膜；

e)用胶带将AAO模板和多余的金属粘下来，得到基于金属二聚体近场耦合波导模式的SERS芯片。

2.如权利要求1所述的一种基于金属二聚体近场耦合波导模式的表面增强拉曼散射芯片的制备方法，其特征在于：金属二聚体阵列位于波导片的二氧化硅层表面。

3.一种基于金属二聚体近场耦合波导模式的表面增强拉曼散射芯片，其特征在于：是由权利要求1~2任一项所述方法制备得到。

4.如权利要求3所述的一种基于金属二聚体近场耦合波导模式的表面增强拉曼散射芯片，其特征在于：该表面增强拉曼散射芯片的工作原理是通过金属二聚体的近场耦合激发波导模式。

5.如权利要求3所述的一种基于金属二聚体近场耦合波导模式的表面增强拉曼散射芯片，其特征在于：该表面增强拉曼散射芯片的工作方式是以43°倾斜的入射光照射在构建于波导表面的金属二聚体阵列上，表面增强拉曼散射光谱是由与芯片法线呈60°方向收集。