[发明专利]OLED面板、其蒸镀方法和其掩膜版组

说明书

本揭示提供一种OLED面板的掩膜版组、其阴极蒸镀方法和OLED面板。所述OLED面板包括具有摄像区的显示区。所述掩膜版组包括第一掩膜版以及第二掩膜版。所述第一掩膜版包括共通掩膜开口区。所述共通掩膜开口区的大小覆盖整个所述显示区。所述第二掩膜版包括异型掩膜开口区。所述异型掩膜开口区的大小覆盖除所述摄像区的所有所述显示区。通过本揭示能提升所述摄像区的透过率。

技术领域

本揭示涉及一种显示技术领域，特别涉及一种OLED面板、其蒸镀方法和其掩膜版组。

背景技术

近年来，移动终端市场发展刺激新型显示技术进步，为配合移动终端大屏显示和高屏占比的需求，手机行业引入全面屏概念，意在提高手机屏幕的屏占比。为实现理想的全面屏显示状态，世界各地的相关从业者进行了很多理论和实际上的探索，其中屏下指纹识别系统已有产品量产，屏下摄像头和屏下通话功能仍在开发中。现有技术中，由于组装手机通话模块和摄像头模块需在手机屏一面预留相应的位置，所以很多新款全面屏手机均在屏幕顶端设置了缺口部分(notch)放置通话和摄像头模块，如IPHONE XS，华为P20系列等。也有在摄像头区域设计开口，如三星S10系列，由于其制程为激光切除显示区，例如主动区(active area,AA)的部分区域，故开口边界(border)需求宽度较宽，防止激光切割使显示区截面外露影响面板的性能。虽然该设计产出的面板可增大终端产品的屏占比，但缺口部分(notch)和打孔区域对于产品外观而言仍较为突兀，虽然此类设计仍占用了相当大的显示区域，但是与真正的全面屏幕的设想相差仍较大。

为实现相对真实的屏下摄像设计，终端设计者尝试从手机模组设计上改善，如OPPO FIND X，VIVO NEX手机等，但此类设计增大了手机制造复杂程度和易损坏风险。现显示业界结合透明显示相关经验，设计透明面板，以实现显示和屏下模组共存的设计。

与以往已开发的透明显示器不同的是，应用于手机面板的OLED面板均为顶发射OLED器件，对于顶发射器件，其透过率影响最大的因素为聚酰亚胺(Polyimide,PI)基板、薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)金属走线和发射层阴极(emissive layercathode,EL cathode)。然而PI基板可更换为透明聚醯亞胺(colorless polyimide，CPI)基板提升透过，TFT金属走线可进行堆叠设计，提升发射层阴极透过率的方法只能尝试减薄部分区域厚度。然而顶发射器件中阳极由ITO/Ag/ITO组成，其与EL层最上层的阴极膜层可形成微腔效应增强EL器件出光效率，故对像素(pixel)发光区域阴极减薄不能提升该部分的透过率，反而会对OLED器件效率造成较大的影响。

故，有需要提供一种OLED面板、其蒸镀方法和其掩膜版组，以解决现有技术存在的问题。

发明内容

为解决上述技术问题，本揭示的目的在于提供OLED面板、其蒸镀方法和其掩膜版组，其能提升所述摄像区的透过率。

为达成上述目的，本揭示提供一种OLED面板的掩膜版组。所述OLED面板包括具有摄像区的显示区。所述掩膜版组包括第一掩膜版以及第二掩膜版。所述第一掩膜版包括共通掩膜开口区。所述共通掩膜开口区的大小覆盖整个所述显示区。所述第二掩膜版包括异型掩膜开口区。所述异型掩膜开口区的大小覆盖除所述摄像区的所有所述显示区。

于本揭示其中的一实施例中，所述掩膜版组还包括第三掩膜版，所述第三掩膜版包括精密掩膜区，所述精密掩膜区的大小覆盖整个所述摄像区，所述精密掩膜区的开口与所述摄像区的像素开口相对应。

于本揭示其中的一实施例中，所述第三掩膜版还包括第三掩膜版遮蔽区和第三掩膜框架，所述精密掩膜区和所述第三掩膜版遮蔽区交替排列，所述第三掩膜框架承载所述第三掩膜版遮蔽区，所述精密掩膜区的边界大于所述显示区的边界。

于本揭示其中的一实施例中，所述精密掩膜区的所述边界向所述显示区的所述边界扩展5～500μm。