[发明专利]一种耐高温抗辐照硅钢片及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202010004450.3 | 申请日： | 2020-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN111118455B | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 汪瑞军;詹华;李振东;柯庆航 | 申请（专利权）人： | 北京金轮坤天特种机械有限公司;中国农业机械化科学研究院 |
| 主分类号： | C23C14/30 | 分类号： | C23C14/30;C23C14/32;C23C14/16;C23C14/08;C23C14/02 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 王术娜 |
| 地址： | 100083 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 耐高温 辐照 硅钢片 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种耐高温抗辐照硅钢片，由硅钢片基体和绝缘涂层组成，所述硅钢片基体的至少一面附着有绝缘涂层，所述绝缘涂层从内到外依次由铬层和氧化锆层组成；
所述铬层通过多弧离子镀方法制备得到；
所述氧化锆层通过电子束蒸发沉积方法制备得到。
2.根据权利要求1所述的耐高温抗辐照硅钢片，其特征在于，所述铬层的厚度为0.5～2μm，所述氧化锆层的厚度为8～30μm。
3.权利要求1～2任一项所述的耐高温抗辐照硅钢片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
将硅钢片基体的至少一面进行粗糙化处理，得到粗糙待处理面；
以铬靶为靶材，在粗糙待处理面进行多弧离子镀，在所述粗糙待处理面上得到铬层；
以氧化锆靶为靶材，在铬层的表面进行电子束蒸发沉积，得到耐高温抗辐照硅钢片。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述粗糙化处理为喷砂处理；所述粗糙待处理面的粗糙度为6.4～12.8μm。
5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述多弧离子镀的条件包括：弧电流为70～130A，基体偏压为-100～-20V，时间为20～60min。
6.根据权利要求3或5所述的制备方法，其特征在于，所述铬靶的纯度≥99.5％。
7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述电子束蒸发沉积的条件包括：工作电压为5～15kV，电子束流为1～3A，沉积时间为30～90min。
8.根据权利要求3或7所述的制备方法，其特征在于，所述氧化锆靶的总杂质含量＜0.35％，单个粒子的晶粒度＜30μm，靶材密度为3.8～4.0g/cm3。
9.权利要求1～2任一项所述的耐高温抗辐照硅钢片或权利要求3～8任一项所述的制备方法制备得到的耐高温抗辐照硅钢片在制备空间反应堆用设备中的应用。
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