[发明专利]一种大尺寸硅片热氧工艺

说明书

本发明提供一种大尺寸硅片热氧工艺，包括以下步骤，在氧化炉待机时，设定炉口至炉尾的待机温度；进舟后，进行升温；进行稳定温度，便于硅片氧化；进行硅片氧化，形成氧化层；降温出炉。本发明的有益效果是应用于硅片的氧化时使用，对硅片进行氧化，减少硅片中心与边缘温差，改善氧化时温度差异，提高表面钝化效果，提高电池片转换效率。

技术领域

本发明属于太阳能电池制备技术领域，尤其是涉及一种大尺寸硅片热氧工艺。

背景技术

目前，太阳能电池片制造业中，热氧为制作SIO2层，主要为表面钝化及抗PID。大尺寸的硅片大大降低了电池制造的成本，但管式热处理随着硅片尺寸的增大，制作过程中均匀性不可控，表面度化效果不好，电池片转换效率低。

发明内容

鉴于上述问题，本发明要解决的问题是提供一种大尺寸硅片热氧工艺，应用于硅片的氧化时使用，对硅片进行氧化，减少硅片中心与边缘温差，改善氧化时温度差异，提高表面钝化效果，提高电池片转换效率。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种大尺寸硅片热氧工艺，包括以下步骤，

在氧化炉待机时，设定炉口至炉尾的待机温度；

进舟后，进行升温；

进行稳定温度，便于硅片氧化；

进行硅片氧化，形成氧化层；

降温出炉。

进一步的，设定炉口至炉尾的待机温度步骤中，设定炉口至炉尾的各个温区间的温度，各个温区间包括沿着从炉口至炉尾依次设置的第一温区间、第二温区间、第三温区间、第四温区间和第五温区间。

进一步的，第一温区间设定的温度为790-810℃，第二温区间设定的温度为770-790℃，第三温区间设定的温度为740-760℃，第四温区间设定的温度为710-730℃，第五温区间设定的温度为690-710℃。

进一步的，进行升温步骤中，将氧化炉温度升温至氧化温度，并通入氮气，设定升温时间。

进一步的，进行升温步骤中，氧化温度为700-740℃，升温时间为8-12min，氮气流量为8-12slm。

进一步的，进行稳定温度步骤中，按照氧化温度维持氧化炉温度，并通入氮气，设定维持时间。

进一步的，进行稳定温度步骤中，氮气流量为8-12slm，维持时间为1-3min。

进一步的，进行硅片氧化步骤中，按照氧化温度维持氧化炉温度，并通入氮气和氧气，设定氧化时间。

进一步的，进行硅片氧化步骤中，氮气流量为7-9slm，氧气流量为1-3slm，氧化时间为10-15min。

进一步的，降温出炉步骤中，将氧化炉温度降低至出炉温度，进行出舟，出炉温度为680-720℃。

由于采用上述技术方案，在氧化炉待机时设定炉管各个温区间的待机温度，减少炉温各个温区间的差异，减少硅片中心与边缘的温差，并进行温度维持，便于对硅片进行氧化，氧化时的温度差异小，硅片氧化均匀性好，氧化膜层均匀，提高表面钝化效果，减少硅片之间的差异，提高电池片转化效率。

附图说明

图1是现有技术中进出舟时各温区间温度差异示意图；

图2是本发明一实施例的进出舟时各温区间温度差异示意图。

图中：

1、碳化硅桨 2、炉门 3、硅片

4、石英舟 5、各温区间温度 6、氧化炉管