[发明专利]一种大尺寸硅片热氧工艺

权利要求书

1.一种大尺寸硅片热氧工艺，其特征在于：包括以下步骤，

在氧化炉待机时，设定炉口至炉尾的待机温度；

进舟后，进行升温；

进行稳定温度，便于硅片氧化；

进行硅片氧化，形成氧化层；

降温出炉。

2.根据权利要求1所述的大尺寸硅片热氧工艺，其特征在于：所述设定炉口至炉尾的待机温度步骤中，设定炉口至炉尾的各个温区间的温度，所述各个温区间包括沿着从炉口至炉尾依次设置的第一温区间、第二温区间、第三温区间、第四温区间和第五温区间。

3.根据权利要求2所述的大尺寸硅片热氧工艺，其特征在于：所述第一温区间设定的温度为790-810℃，所述第二温区间设定的温度为770-790℃，所述第三温区间设定的温度为740-760℃，所述第四温区间设定的温度为710-730℃，所述第五温区间设定的温度为690-710℃。

4.根据权利要求1-3任一项所述的大尺寸硅片热氧工艺，其特征在于：所述进行升温步骤中，将氧化炉温度升温至氧化温度，并通入氮气，设定升温时间。

5.根据权利要求4所述的大尺寸硅片热氧工艺，其特征在于：所述进行升温步骤中，所述氧化温度为700-740℃，所述升温时间为8-12min，所述氮气流量为8-12slm。

6.根据权利要求5所述的大尺寸硅片热氧工艺，其特征在于：所述进行稳定温度步骤中，按照所述氧化温度维持所述氧化炉温度，并通入氮气，设定维持时间。

7.根据权利要求6所述的大尺寸硅片热氧工艺，其特征在于：所述进行稳定温度步骤中，所述氮气流量为8-12slm，所述维持时间为1-3min。

8.根据权利要求5-7任一项所述的大尺寸硅片热氧工艺，其特征在于：所述进行硅片氧化步骤中，按照所述氧化温度维持所述氧化炉温度，并通入氮气和氧气，设定氧化时间。

9.根据权利要求8所述的大尺寸硅片热氧工艺，其特征在于：所述进行硅片氧化步骤中，所述氮气流量为7-9slm，所述氧气流量为1-3slm，所述氧化时间为10-15min。

10.根据权利要求9所述的大尺寸硅片热氧工艺，其特征在于：所述降温出炉步骤中，将所述氧化炉温度降低至出炉温度，进行出舟，所述出炉温度为680-720℃。