[发明专利]待切割基板、显示面板及微显示芯片有效
申请号: | 202010001902.2 | 申请日: | 2020-01-02 |
公开(公告)号: | CN111146211B | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
发明(设计)人: | 李云龙;王青;卢鹏程;张大成 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H10K59/12 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 切割 显示 面板 芯片 | ||
本发明实施例提供一种待切割基板、显示面板及微显示芯片,涉及显示技术领域,可以改善在切割待切割基板的过程中封装层产生裂纹,导致的水氧入侵到显示区,影响发光器件性能和寿命的问题。该待切割基板包括多个显示区和位于所述显示区外围的周边区,所述周边区包括切割区;所述待切割基板包括显示用基板以及用于封装所述显示用基板的封装层;所述显示用基板包括底板以及设置在所述底板上,且位于所述显示区和所述切割区之间的挡墙。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种待切割基板、显示面板及微显示芯片。
背景技术
电致发光二极管显示器由于具有自发光、低功耗、宽视角、响应速度快以及高对比度等优点,因而成为目前显示器的主流发展趋势。
电致发光二极管显示器包括显示用基板和用于封装显示用基板的封装层。显示用基板包括设置在底板上的多个发光器件。
发明内容
本发明的实施例提供一种待切割基板、显示面板及微显示芯片,可以改善在切割待切割基板的过程中封装层产生裂纹,导致的水氧入侵到显示区,影响发光器件性能和寿命的问题。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
第一方面,提供一种待切割基板,包括多个显示区和位于所述显示区外围的周边区,所述周边区包括切割区;所述待切割基板包括显示用基板以及用于封装所述显示用基板的封装层;所述显示用基板包括底板以及设置在所述底板上,且位于所述显示区和所述切割区之间的挡墙。
在一些实施例中,所述挡墙包括至少一个第一子挡墙;所述封装层完全覆盖所述第一子挡墙。
在一些实施例中,所述挡墙包括位于所述显示区的至少一个边与所述切割区之间的多个所述第一子挡墙,多个所述第一子挡墙的高度均相同。
在一些实施例中,所述挡墙包括位于所述显示区的至少一个边与所述切割区之间的多个所述第一子挡墙,多个所述第一子挡墙的高度不完全相同。
在一些实施例中,至少一个所述第一子挡墙围绕所述显示区首尾相接设置一圈。
在一些实施例中,所述挡墙包括至少一个第二子挡墙;所述封装层覆盖所述第二子挡墙远离所述底板的表面,且所述封装层在所述第二子挡墙的边界处断开。
在一些实施例中,至少一个所述第二子挡墙围绕所述显示区首尾相接设置一圈。
在一些实施例中,在所述挡墙包括所述第一子挡墙和所述第二子挡墙的情况下,所述第二子挡墙的高度大于所述第一子挡墙的高度,所述第一子挡墙相对于所述第二子挡墙靠近所述显示区。
在一些实施例中,所述显示用基板还包括:设置在所述底板上,且位于所述显示区的像素界定层以及多个发光器件;所述像素界定层包括多个开口区,一个所述发光器件位于一个所述开口区内;所述挡墙与所述像素界定层同层同材料。
在一些实施例中,所述底板包括硅基衬底以及设置在所述硅基衬底上的驱动电路。
第二方面,提供一种显示面板,所述显示面板通过切割上述的待切割基板得到;其中,所述待切割基板为显示面板母板。
第三方面,提供一种微显示芯片,所述微显示芯片通过切割上述的待切割基板得到;其中,所述待切割基板为晶圆芯片。
本发明实施例提供一种待切割基板、显示面板及微显示芯片,待切割基板包括多个显示区和位于显示区外围的周边区,周边区包括切割区和非切割区,待切割基板包括显示用基板以及用于封装显示用基板的封装层;显示用基板包括底板以及设置在底板上,且位于显示区和切割区之间的挡墙。由于本发明实施例,在显示区和切割区之间设置有挡墙,而沿切割区对待切割基板进行切割时,挡墙会阻挡微裂纹的扩散,因而可以减缓水氧入侵到显示区,确保发光器件的性能和寿命,增强发光器件的封装性,提高发光器件在高温高湿环境中的信赖性。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的