[发明专利]一种芯片上的电容装置

权利要求书

1.一种在芯片上的电容装置，其特征在于，一种堆叠的电容装置，在不增加芯片掩模层次和生产成本的条件下，显著的降低芯片的面积和成本。

2.如权利要求1所述的电容装置，其特征在于，在芯片的电路设计中，通常会使用到基本的工艺器件，比如MOS管、电容和电阻等，为了减小芯片的面积，本发明提出一种堆叠的电容装置。

3.如权利要求1所述的电容装置，其特征在于，以SMIC013工艺为列，通过在普通电容器件(如PIP、MOS)的基础上叠加MOM电容(MOM即metal to metal)的方法，从而可以有效缩小电容面积。

4.如权利要求1所述的电容装置，其特征在于，这种方法是通过2种或多种电容的叠加，提高了单位电容值，起到了减小电容的面积。

5.如权利要求1所述的电容装置，其特征在于，所述的如图1所示，EEPROM普通电容器件，通常分为PIP电容和MOS电容。PIP电容是由POLY4和POLY3作为上下级板；MOS电容是由AA和POLY作为上下级板。

6.如权利要求1所述的电容装置，其特征在于，所述的如图2所示，本发明提出多种叠加电容的方法，分别可以组合成MOM+PIP、MOM+MOS、PIP+MOS+MOM以及PIP+MOS+MOM+TOW这4种电容叠加方式。

7.如权利要求1所述的电容装置，其特征在于，在SMIC 0.13um工艺上，PIP的电容值是每平方微米2.6fF；MOM的电容值是每平方微米0.5fF。PIP+MOM的电容值就是每平方微米3.1fF,单位电容值提高20％左右。