[发明专利]氧化镓基板的制造方法和氧化镓基板用研磨浆料

说明书

本发明是一种氧化镓基板的制造方法，包括：使用研磨浆料对氧化镓基板进行研磨，上述研磨浆料包含二氧化锰粒子和水。

技术领域

本发明涉及氧化镓基板的制造方法和氧化镓基板用研磨浆料。

背景技术

近年来，提出了使用化合物半导体基板代替硅半导体基板。作为化合物半导体，可以举出碳化硅、氮化镓、氧化镓等。与硅半导体相比，化合物半导体在具有较大带隙方面优异。化合物半导体基板被研磨，在其研磨面形成外延膜。

在专利文献1中记载了氧化镓基板的研磨方法。在该研磨方法中，依次使用了包含金刚石粒子的研磨浆料和包含胶体二氧化硅的研磨浆料。记载了根据该研磨方法，可以在氧化镓单晶的主表面形成台阶和平台。

在专利文献2中记载了由碳化硅或氮化镓形成的基板的研磨方法。在该研磨方法中，使用了包含能够取得多个氧化数的金属元素的氧化性粒子的浆料作为研磨浆料。记载了：作为氧化性粒子的具体例，公开了氧化锰粒子，特别优选氧化性高的二氧化锰粒子。

在专利文献3中公开了用包含二氧化锰的磨粒对硅基板进行研磨。在专利文献3的第33段落中记载了硅基板的研磨机理。根据该记载，为了以高速率研磨硅基板，在碱环境下研磨是重要的，要求磨粒在碱环境下不溶解。因此，在专利文献3中，只不过以一个例子举出二氧化锰作为在碱环境下不溶解的磨粒之一，没有任何启示将二氧化锰磨粒用于氧化镓基板的研磨。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008－105883号公报

专利文献2：日本特开2017－71787号公报

专利文献3：日本特开2015－189806号公报

发明内容

在专利文献1中，依次使用包含金刚石粒子的研磨浆料和包含胶体二氧化硅的研磨浆料。在这种情况下，难以用胶体二氧化硅完全除去由金刚石粒子产生的损伤。应予说明，在仅使用包含胶体二氧化硅的研磨浆料的情况下，存在研磨速度过低的问题。

在专利文献2中使用包含二氧化锰粒子的研磨浆料。记载了由于二氧化锰粒子具有高氧化性，所以对碳化硅或氮化镓具有高研磨力。与此相对，由于氧化镓为氧化物，所以无法利用粒子的氧化性来提高研磨速度。

本公开的一个方案提供一种可以兼顾提高氧化镓基板的研磨速度和减少损伤的技术。

本公开的一个方案的氧化镓基板的制造方法包括：使用研磨浆料对氧化镓基板进行研磨，上述研磨浆料包含二氧化锰粒子和水。

根据本公开的一个方案，可以兼顾提高氧化镓基板的研磨速度和减少损伤。

附图说明

图1是表示一个实施方式的氧化镓基板的制造方法的流程图。

图2是表示例4和例10～例18的粒子材料与研磨速度的关系的图。

图3表示例4、例10～例11和例15～例18的粒子材料、研磨速度和莫氏硬度的关系。

图4是表示例1～例5的粒子含量与研磨速度的关系的图。

图5是表示例3和例6～例9的pH与研磨速度的关系的图。

图6表示例19～例23的pH与ζ电位的关系。

图7表示例19～例23的pH与粒径分布的关系。

具体实施方式