[发明专利]氧化镓基板的制造方法和氧化镓基板用研磨浆料在审
| 申请号： | 201980094264.9 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN113574638A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 平林佑介 | 申请（专利权）人： | AGC株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;C09K3/14;B24B37/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王洋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化 镓基板 制造 方法 镓基板用 研磨 浆料 | ||
1.一种氧化镓基板的制造方法，包括：使用研磨浆料对氧化镓基板进行研磨，
所述研磨浆料包含二氧化锰粒子和水。
2.根据权利要求1所述的氧化镓基板的制造方法，其中，所述二氧化锰粒子在所述研磨浆料中所占的含量为0.01质量％～50质量％。
3.根据权利要求1或2所述的氧化镓基板的制造方法，其中，所述研磨浆料的pH为1～3或7～14。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的氧化镓基板的制造方法，其中，所述二氧化锰粒子的用动态光散射法测定的粒径分布中的体积基准的累计分率50％的粒径为1nm～2000nm。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的氧化镓基板的制造方法，包括：在进行所述研磨后用清洗液清洗所述氧化镓基板。
6.根据权利要求5所述的氧化镓基板的制造方法，其中，所述清洗液包含抗坏血酸和异抗坏血酸中的至少一者且具有6以下的pH。
7.根据权利要求5所述的氧化镓基板的制造方法，其中，所述清洗液包含硫酸和盐酸中的至少一者且包含过氧化氢。
8.一种氧化镓基板用研磨浆料，是对氧化镓基板进行研磨的氧化镓基板用研磨浆料，
包含二氧化锰粒子和水。
9.根据权利要求8所述的氧化镓基板用研磨浆料，其中，所述二氧化锰粒子的含量为0.01质量％～50质量％。
10.根据权利要求8或9所述的氧化镓基板用研磨浆料，其中，pH为1～3或7～14。
11.根据权利要求8～10中任一项所述的氧化镓基板用研磨浆料，其中，所述二氧化锰粒子的用动态光散射法测定的粒径分布中的体积基准的累计分率50％的粒径为1nm～2000nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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