[发明专利]信息处理系统、信息处理方法、程序以及基板处理装置

说明书

本发明将基板处理装置的多个参数调节为提高基板处理装置的性能值。具有：第一人工智能部，该第一人工智能部针对多个第一学习数据集分别进行学习，该多个第一学习数据集将参数类别的组合相互不同的参数的组作为输入值，并将对应的基板处理装置的性能值作为输出值，该第一人工智能部在学习后，将多个验证用数据集分别作为输入，来预测性能值，所述多个验证用数据集的参数类别的组合与学习时通用；选择部，该选择部使用表示预测的该性能值的正确回答的比例的值、该学习所花费的时间及该第一人工智能部预测性能值所需的时间中的至少一个，从该多个验证用数据集中所包含的多个参数类别的组中选择一个参数类别的组；以及第二人工智能部，该第二人工智能部使用多个第二学习数据集进行学习，该多个第二学习数据集将由选择出的该参数类别的组构成的过去的参数值的组作为输入值，并将对应的过去的性能值作为输出值，该第二人工智能部在学习后，将由选择出的该参数类别的组构成的参数中的按每个基板处理装置必然确定的固定参数作为输入，在使由选择出的该参数类别的组构成的参数中的可变的参数变化的情况下预测该基板处理装置的性能值，并输出预测出的性能值中的、该性能值满足提取基准的参数值的组合。

技术领域

本发明涉及一种信息处理系统、信息处理方法、程序以及基板处理装置。

背景技术

近年来，随着半导体器件的高集成化的发展，电路的配线正在微细化，配线间距离也正在变得更窄。在半导体器件的制造中，基板处理装置对基板(例如晶片)执行各种处理。作为基板处理装置的一例的进行化学机械研磨(CMP)的研磨装置(也称为CMP装置)被用作使晶片的表面平坦化的一个手段。通过利用研磨装置使晶片的表面平坦，从而，在半导体器件的制造中，当许多种类的材料在晶片上被反复形成为了膜状时，能够形成均匀的层叠构造。

这种研磨装置一般具备安装有研磨垫的转台(也称为研磨台)、保持晶片的顶环(也称为研磨头)以及将研磨液供给至研磨垫上的喷嘴。一边从喷嘴将研磨液(也称为浆料)供给至研磨垫上，一边利用顶环将晶片按压于研磨垫，进一步使顶环与转台相对移动，由此对晶片进行研磨而使其表面平坦。

在这样的研磨装置中，在研磨中的晶片与研磨垫之间的相对的按压力不是遍及晶片的整个面均匀的情况下，会根据向晶片的各部分给予的按压力而产生研磨不足、过度研磨。为了使对晶片的按压力均匀化，正在进行的是，在顶环的下部设置由弹性膜(膜片)形成的多个压力室，并通过向该多个压力室分别供给加压空气等流体，从而利用经由弹性膜的流体压力来将晶片按压于研磨垫进行研磨。

另外，顶环基本上由将晶片按压于研磨面的顶环主体和保持晶片的外周缘而使晶片不从顶环飞出的挡护环构成。另外，若长时间进行研磨工序，则研磨垫的削屑、浆料会进入研磨垫的微细的孔而引起堵塞，研磨速度显著降低，因此使用被称为修整器的装置进行研磨垫的整形(修整)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2001-160544号公报

代表性的CMP装置通过根据研磨方案即一系列的研磨步骤(各步骤使用研磨压力、转台转速等预先设定的一组参数来执行)制作的软件来控制。这一组参数的设定通过试错而创建，因此在花费时间上是困难的。

对此，在专利文献1中公开了一种研磨方案的决定方法，包括：使用多个研磨参数集来研磨多个测试基板的步骤；分别测定多个测试基板的研磨轮廓的步骤；以及针对使预测基板轮廓与期望基板轮廓间的差最小的各研磨参数集计算研磨时间的步骤。

然而，依然存在如下这样的问题：在基板处理装置(例如研磨装置)中，难以将多个参数调节为提高基板处理装置的性能值。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种能够容易地将基板处理装置的多个参数调节为提高基板处理装置的性能值的信息处理系统、信息处理方法、程序以及基板处理装置。