[发明专利]真空处理装置

说明书

本发明提供一种不会损害可冷却真空室内设置的防附着板这一功能，并可实施防附着板的烘烤处理的真空处理装置。具有真空室(1)并对该真空室中安装的被处理基板(Sw)实施规定的真空处理的本发明的真空处理装置(SM)，在真空室内设置防附着板(82)，真空处理装置(SM)还具有：金属材质的块体(9)，其竖立设置在真空室的下壁内表面(13)上并与防附着板的一部分留出间隙地相对设置；冷却装置(11)，其冷却块体；加热装置(10)，其配置在防附着板的一部分和块体之间并可通过热辐射加热防附着板，彼此相对设置的块体和防附着板的表面部分分别由通过对这些块体和防附着板的母材金属分别实施表面处理而增加了辐射率的高辐射率层(93，84)构成。

技术领域

本发明涉及具有真空室并对安装在该真空室内的被处理基板实施规定的真空处理的真空处理装置。

背景技术

例如，在半导体器件的制造工序中有对硅晶片等被处理基板实施成膜处理或蚀刻处理这类真空处理的工序。作为这样的真空处理中使用的真空处理装置，例如在专利文献1中已知采用溅射法实施成膜的溅射装置。该装置具有可形成真空气氛的真空室，真空室的上部配置有溅射用靶，真空室内的下部设置台架，其与靶相对地设置被处理基板。

在使用上述溅射装置形成规定的薄膜时，在台架上装设了一片被处理基板的状态下向真空气氛的真空室内导入稀有气体(以及反应气体)，向靶施加例如带有负电位的直流电或规定频率的交流电。由此，真空室内形成等离子体气氛，在等离子体中电离的稀有气体的离子撞击靶从而使靶被溅射，从靶飞散出的溅射粒子附着堆积在被处理基板表面上，形成与靶种类对应的规定的薄膜。当对靶进行溅射时，一部分溅射粒子也会朝被处理基板以外飞散。在真空室中，通常为了防止其内壁面上附着溅射粒子，距离真空室的内壁面留出间隔地设置金属材质的防附着板。

此处，在采用溅射成膜时，防附着板受等离子体的热辐射等加热，随着被成膜的被处理基板的片数增加，逐渐越来越呈高温。从而当防附着板升温时，特别是未从没有溅射粒子附着堆积的防附着板的背面真空排气而残留在其表面的各种气体(氧和水蒸汽等)会被排放出来。当这样的排放气体在成膜时被带入到薄膜中时，例如会导致薄膜质量的劣化，因此需要尽量抑制。所以，以往一般会进行防附着板的冷却。

此外，通常当将未使用的防附着板安装到真空室内时，会在对被处理基板成膜前，在真空气氛中执行将防附着板加热到规定温度的所谓的烘烤处理，实施防附着板等的脱气。可实施烘烤处理的溅射装置例如在专利文献2中已知。该装置具有通过热辐射加热防附着板的灯加热器(加热装置)；以及设置在灯加热器的背面的反射板，用反射板反射从灯加热器辐射的热线照射到防附着板。虽然可考虑将这些灯加热器和反射板配置在冷却防附着板的冷却装置和防附着板之间，设置为可实施防附着板的烘烤处理，但存在间隔着反射板，防附着板难以冷却的问题。

现有技术文献

专利文献

日本专利公开2014－91861号公报

日本专利公开2010－84169号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明是鉴于上述内容而产生的，其目的是提供一种不会损害可冷却真空室内设置的防附着板的这一功能，并可实施防附着板的烘烤处理的真空处理装置。

解决技术问题的手段

为解决上述技术问题，具有真空室并对该真空室内安装的被处理基板实施规定的真空处理的本发明的真空处理装置，其特征在于：在真空室内设置防附着板，还具有：金属材质的块体，其竖立设置在真空室的内壁面上并与防附着板的一部分留出间隙地相对设置；冷却装置，其冷却块体；以及加热装置，其配置在防附着板的一部分和块体之间并可通过热辐射加热防附着板，彼此相对设置的块体和防附着板的表面部分分别由通过对这些块体和防附着板的母材金属分别实施表面处理而增加了辐射率的高辐射率层构成。