[发明专利]真空处理装置有效
申请号: | 201980086821.2 | 申请日: | 2019-07-23 |
公开(公告)号: | CN113227445B | 公开(公告)日: | 2023-03-28 |
发明(设计)人: | 藤井佳词 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C14/00;H01L21/203;H01L21/285 |
代理公司: | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 | 代理人: | 齐永红;秦岩 |
地址: | 日本神奈川*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 真空 处理 装置 | ||
1.一种真空处理装置,其具有真空室并对该真空室内安装的被处理基板实施规定的真空处理,在真空室内设置防附着板,所述真空处理装置的特征在于:
还具有:金属材质的块体,其竖立设置在真空室的内壁面上并与防附着板的一部分留出间隙地相对设置;冷却装置,其冷却块体;以及加热装置,其配置在防附着板的一部分和块体之间并可通过热辐射加热防附着板;
彼此相对设置的块体和防附着板的表面部分分别由通过对这些块体和防附着板的母材金属分别实施表面处理而增加辐射率的高辐射率层构成。
2.根据权利要求1记载的真空处理装置,其特征在于:
所述块体的表面的与所述加热装置相对设置的部分采用通过对块体的母材金属实施表面处理而降低辐射率的低辐射率层代替高辐射率层而构成。
3.根据权利要求1记载的真空处理装置,其特征在于:
在与所述防附着板相对设置的所述块体的表面上形成第一凹部,在第一凹部的内侧空间中容置所述加热装置。
4.根据权利要求3记载的真空处理装置,其特征在于:
所述第一凹部的内表面采用通过对块体的母材金属实施表面处理而降低辐射率的低辐射率层代替高辐射率层而构成。
5.根据权利要求1记载的真空处理装置,其特征在于:
在与所述块体相对设置的所述防附着板的表面部分形成第二凹部,在第二凹部的内侧空间中容置所述加热装置。
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