[发明专利]用于PVD腔室的具有高沉积环的处理配件

说明书

本文提供了处理配件的实施方式。在一些实施方式中，一种处理配件包括：沉积环，沉积环被配置为设置在基板支撑件上，沉积环包括：环形带，环形带被配置为置放在基板支撑件的下凸缘上，环形带具有上表面和下表面，下表面在径向内部和径向外部之间包括台阶；内唇部，内唇部从环形带的上表面向上延伸并与环形带的内表面相邻，其中环形带的上表面与内唇部的上表面的水平部分之间的深度在约6.0mm至约12.0mm之间；通道，通道设置在环形带的径向外侧和下方；及外唇部，外唇部向上延伸并设置在通道的径向外侧。

技术领域

本公开内容的实施方式整体而言涉及基板处理设备。

背景技术

可以在物理气相沉积(PVD)腔室中使用处理配件屏蔽件，以将处理空间与非处理空间分开。随着时间的流逝，处理配件屏蔽件会积聚来自PVD腔室中实行的沉积处理的沉积材料。对于高沉积处理，处理配件上的沉积物明显地积聚，直到沉积物可能积聚到基板背面的程度。此时，沉积物可能会粘着或粘附在基板的背面，这可能会造成基板处理问题并导致基板破裂。尽管可以移除处理配件屏蔽件并以干净的处理配件屏蔽件来替换，然而沉积在处理配件屏蔽件上的材料的快速积聚会导致更频繁的停机时间以为了更换处理配件屏蔽件。

因此，发明人提供了本文所揭示的改进的处理配件的实施方式。

发明内容

本文提供了处理配件的实施方式。在一些实施方式中，一种处理配件包括：沉积环，所述沉积环被配置为设置在基板支撑件上，所述沉积环包括：环形带，所述环形带被配置为置放在所述基板支撑件的下凸缘上，所述环形带具有上表面和下表面，所述下表面在径向内部和径向外部之间包括台阶，所述台阶从所述径向内部向所述径向外部向下延伸；内唇部，所述内唇部从所述环形带的所述上表面向上延伸并与所述环形带的内表面相邻，其中所述内唇部的内表面和所述环形带的所述内表面共同形成所述沉积环的中心开口，且其中所述环形带的上表面与所述内唇部的所述上表面的水平部分之间的深度在约6.0mm至约12.0mm之间；通道，所述通道设置在所述环形带的径向外侧和下方；及外唇部，所述外唇部向上延伸并设置在所述通道的径向外侧。

在一些实施方式中，一种处理腔室包括：腔室壁，所述腔室壁界定所述处理腔室内的内部容积；靶，所述靶设置在所述内部容积的上部中；基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述内部容积中且与所述靶相对；一件式处理配件屏蔽件；和沉积环，所述沉积环被配置为设置在基板支撑件上。所述沉积环包括：环形带，所述环形带被配置为置放在所述基板支撑件的下凸缘上，所述环形带具有上表面和下表面，所述下表面在径向内部和径向外部之间包括台阶，所述台阶从所述径向内部向所述径向外部向下延伸；内唇部250，内唇部250从所述环形带的所述上表面向上延伸并与所述环形带的内表面相邻，其中所述内唇部的内表面和所述环形带的所述内表面共同形成所述沉积环的中心开口，且其中所述内唇部从所述内唇部的外表面的垂直部分到所述内唇部的所述内表面具有约1.0mm至约2.0mm的宽度；通道，所述通道设置在所述环形带的径向外侧；及外唇部，所述外唇部向上延伸并设置在所述通道的径向外侧，其中所述外唇部包括狭槽。

在一些实施方式中，一种沉积环包括：环形带，所述环形带被配置为置放在基板支撑件的下凸缘上，所述环形带具有上表面和下表面，所述下表面在径向内部和径向外部之间包括台阶，所述台阶从所述径向内部向所述径向外部向下延伸；内唇部，所述内唇部从所述环形带的所述上表面向上延伸并与所述环形带的内表面相邻，其中所述内唇部的内表面和所述环形带的所述内表面共同形成所述沉积环的中心开口，其中所述内唇部从所述内唇部的外表面的垂直部分到所述内唇部的所述内表面具有约1.0mm至约2.0mm的宽度，且其中所述环形带的上表面与所述内唇部的所述上表面的水平部分之间的深度在约6.0mm至约12.0mm之间；第一脚，所述第一脚从邻近所述环形带的外表面处向下延伸；第二脚，所述第二脚从所述第一脚的底部径向向外延伸；及外唇部，所述外唇部从所述第二脚向上延伸，其中所述第一脚、所述第二脚及所述外唇部一同界定通道。

以下描述本公开内容的其他和进一步的实施方式。

附图说明