[发明专利]用于PVD腔室的具有高沉积环的处理配件

权利要求书

1.一种处理配件，包括：

沉积环，所述沉积环被配置为设置在基板支撑件上，所述沉积环包括：

环形带，所述环形带被配置为置放在所述基板支撑件的下凸缘上，所述环形带具有上表面和下表面，其中所述下表面被配置为置放在所述下凸缘上，其中所述环形带包括径向内部和径向外部，其中所述下表面包括台阶，所述台阶从所述径向内部向所述径向外部向下延伸而使得所述环形带的厚度从所述径向内部到所述径向外部增大；

内唇部，所述内唇部从所述环形带的所述上表面向上延伸并与所述环形带的内表面相邻，其中所述内唇部的内表面和所述环形带的所述内表面共同形成所述沉积环的中心开口，且其中所述环形带的上表面与所述内唇部的上表面的水平部分之间的深度在6.0 mm至12.0 mm之间；

通道，所述通道设置在所述环形带的最低表面的径向外侧和下方；及

外唇部，所述外唇部向上延伸并设置在所述通道的径向外侧。

2.如权利要求1所述的处理配件，其中所述通道由一第一脚、第二脚及外唇部界定，所述第一脚从邻近所述环形带的外表面处向下延伸，所述第二脚从所述第一脚的底部径向向外延伸，且所述外唇部从所述第二脚向上延伸。

3. 如权利要求1所述的处理配件，其中所述环形带的所述上表面与所述内唇部的所述上表面之间的所述深度是在7.0 mm至10.0 mm之间。

4.如权利要求1所述的处理配件，其中所述环形带包括大致平坦的上表面。

5. 如权利要求1所述的处理配件，其中所述径向内部的宽度在10.0 mm至13.0 mm之间。

6.如权利要求1至5中的任一项所述的处理配件，其中所述外唇部的宽度大于所述内唇部的宽度。

7. 如权利要求1至5中的任一项所述的处理配件，其中所述沉积环的所述内唇部从所述内唇部的外表面的垂直部分到所述内唇部的所述内表面具有1.0 mm至2.0 mm的宽度，并且其中所述外唇部的宽度为2.0 mm至3.0 mm。

8. 如权利要求1至5中的任一项所述的处理配件，其中所述环形带的从所述上表面到所述下表面的所述径向外部的厚度为3.75 mm至4.75 mm。

9.如权利要求1至5中的任一项所述的处理配件，其中所述内唇部包括径向向内突出的多个突出部。

10.如权利要求1至5中的任一项所述的处理配件，进一步包括夹具组件，所述夹具组件具有夹具，所述夹具置放在设置在所述沉积环的所述外唇部中的狭槽内。

11.如权利要求1至5中的任一项所述的处理配件，进一步包括：

一件式处理配件屏蔽件，所述一件式处理配件屏蔽件具有圆筒形主体，所述圆筒形主体具有上部和下部以及盖环部分，所述盖环部分从所述下部径向向内延伸，其中所述盖环部分包括凸部及凹部，所述凸部延伸到所述沉积环的所述通道中且所述外唇部延伸到所述凹部中以在所述盖环部分和所述沉积环之间界定曲折的流动路径。

12. 如权利要求11所述的处理配件，其中所述一件式处理配件屏蔽件进一步包括：

适配器部分，所述适配器部分从所述上部径向向外延伸；及

传热通道，所述传热通道延伸穿过所述适配器部分。