[发明专利]用于RFID的墨组合物和使用该墨组合物的RFID的导电性图案的制造方法有效
| 申请号： | 201980079176.1 | 申请日： | 2019-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN113166574B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 冈明周作;毛利英希;石川直人;过皓晟;武井胜士;周英 | 申请（专利权）人： | 丸爱株式会社;国立研究开发法人产业技术综合研究所 |
| 主分类号： | C09D11/52 | 分类号： | C09D11/52;H05K1/09 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 陈曦;向勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 rfid 组合 使用 导电性 图案 制造 方法 | ||
1.一种RFID的导电性图案的制造方法，其中，其包含以下工序：
将墨组合物涂布在用于搭载ID信息的基材的工序，所述墨组合物是碳纳米管分散液，所述碳纳米管分散液包含导电性材料和具有作为导电性材料的分散剂功能并且表现出对碳纳米管的掺杂效果的高分子酸，所述导电性材料仅由碳纳米管构成，所述碳纳米管是单壁碳纳米管，所述高分子酸是聚丙烯酸并且所述高分子酸的重均分子量是2000以上且50000以下，所述碳纳米管的浓度是0.005重量％以上且1重量％以下，且所述高分子酸的浓度是0.005重量％以上且5重量％以下，并且所述碳纳米管和所述高分子酸的重量比是1：0.8以上且1：5以下；和
干燥所述已涂布的用于RFID的墨组合物，形成膜厚度为5μm以下且表面电阻率为100Ω/□以下的仅由该膜构成的RFID的导电性图案的工序。
2.如权利要求1所述的RFID的导电性图案的制造方法，其中，
所述聚丙烯酸的重均分子量是20000以上且50000以下。
3.如权利要求1所述的RFID的导电性图案的制造方法，其中，
通过高速的印刷方法进行所述涂布。
4.如权利要求1所述的RFID的导电性图案的制造方法，其中，
通过凹版印刷进行所述涂布。
5.如权利要求1所述的RFID的导电性图案的制造方法，其中，
干燥所述已涂布的用于RFID的墨组合物，形成膜厚度为1μm以下且表面电阻率为100Ω/□以下的RFID的导电性图案。
6.如权利要求1所述的RFID的导电性图案的制造方法，其中，
至少分别进行二次重复形成所述RFID的导电性图案的工序和干燥所述已涂布的用于RFID的墨组合物的工序，从而形成膜厚度为5μm以下且表面电阻率为100Ω/□以下的RFID的导电性图案。
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