[发明专利]具有信息存储和显示功能的光伏太阳能电池在审
申请号: | 201980078572.2 | 申请日: | 2019-11-19 |
公开(公告)号: | CN113196503A | 公开(公告)日: | 2021-07-30 |
发明(设计)人: | 科拉列·洛弗夫尔;马利克·本曼索尔;蒂鲍特·迪斯鲁斯;塞巴斯蒂安·杜波伊斯;简-帕特里斯·拉库图尼爱纳 | 申请(专利权)人: | 原子能和替代能源委员会 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/18;H01L23/544 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 孟媛;胡春光 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 信息 存储 显示 功能 太阳能电池 | ||
1.一种设备,所述设备包括:
-装配有能够发射光辐射的结构的光伏电池,所述光伏电池在主面(2A)的区域上包括第一层(3,13,23,33,43),通过所述第一层雕刻一个或多个图案(12),所述一个或多个图案根据与至少一个信息符号相对应的,特别是与所述电池有关的给定信息项相对应的预定布置被分布,所述第一层置于第二层(1)上,所述第一层与所述第二层形成结,所述结在被反向偏置时能够发射光辐射,所述光辐射显示在所述第一层(3,13,23,33,43)中雕刻的所述一个或多个图案,
-偏置电路,所述偏置电路被配置为使所述结反向偏置。
2.根据权利要求1所述的设备,其中,所述第一层(3)是晶体半导体材料层,所述第二层是晶体基底(1)层,或是置于所述基底上的晶体半导体层,所述第一层和所述第二层形成pn型同质结。
3.根据权利要求1所述的设备,其中,所述第一层是掺杂的非晶半导体层(13),或者是由本征非晶半导体层和掺杂的非晶半导体层组成的多层材料(13),所述第二层是晶体基底层(1),或者是置于所述基底上的晶体半导体层,所述第一层和所述第二层形成异质结。
4.根据权利要求1所述的设备,其中,所述第一层是金属层(23),所述第二层是所述基底(1)的半导体层,或者是置于所述基底上的半导体层,所述第一层和所述第二层形成肖特基结。
5.根据权利要求1所述的设备,所述第一层被布置在置于基底上的介电材料层(32)上,所述第一层是金属层,或者是掺杂的多晶半导体材料层(33),所述掺杂的多晶半导体材料层的导电类型与所述基底的导电类型相反。
6.根据权利要求1所述的设备,其中,所述第一层是金属氧化物层(43),所述第二层是半导体基底层(1),或是被布置在所述基底(1)上的非晶半导体层,所述第一层和所述第二层形成异质结。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的设备,所述设备进一步包括:
-图像获取装置,所述图像获取装置例如是照相机,所述图像获取装置用于实现所述区域的图像的获取,所述反向偏置电压被施加在所述获取的整个期间。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的设备,所述光伏电池被设置在温度调节基座上,所述温度调节基座被配置为将所述电池的温度保持在低于60℃,并且优选地低于30℃的值。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的设备,其中,所述图案形成条形码或矩阵码。
10.一种用于识别根据权利要求1所述的光伏电池的识别方法,所述方法包括以下步骤:
-反向偏置所述结,使所述结发射光辐射,所述光辐射显示在所述电池的所述第一层中雕刻的所述图案,
-读取所述给定信息项,特别是通过使用图像获取装置获取在所述第一层中雕刻的所述图案的图像来读取所述给定信息项。
11.一种用于分选光伏电池的方法,所述方法包括以下步骤:
-在第一太阳能电池上实施根据权利要求10所述的识别方法,
-在第二太阳能电池上实施根据权利要求10所述的识别方法,
-分别根据在所述第一电池上读取的给定信息项和在所述第二电池上读取的给定信息项,将所述第一电池和所述第二电池分布在一个或多个组中。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,所述第一电池属于第一光伏模块,所述第二电池属于第二光伏模块,所述第二光伏模块不同于所述第一光伏模块。
13.根据权利要求12所述的方法,其中,所述第一电池包括第一信息符号,所述第一信息符号表示产生所述第一光伏模块的电池的制造技术或所述第一模块的制造技术。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于原子能和替代能源委员会,未经原子能和替代能源委员会许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980078572.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:使用多旋风模块的集尘装置
- 下一篇:包含侧面接合结构的接合组件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
- 信息记录介质、信息记录方法、信息记录设备、信息再现方法和信息再现设备
- 信息记录装置、信息记录方法、信息记录介质、信息复制装置和信息复制方法
- 信息记录装置、信息再现装置、信息记录方法、信息再现方法、信息记录程序、信息再现程序、以及信息记录介质
- 信息记录装置、信息再现装置、信息记录方法、信息再现方法、信息记录程序、信息再现程序、以及信息记录介质
- 信息记录设备、信息重放设备、信息记录方法、信息重放方法、以及信息记录介质
- 信息存储介质、信息记录方法、信息重放方法、信息记录设备、以及信息重放设备
- 信息存储介质、信息记录方法、信息回放方法、信息记录设备和信息回放设备
- 信息记录介质、信息记录方法、信息记录装置、信息再现方法和信息再现装置
- 信息终端,信息终端的信息呈现方法和信息呈现程序
- 信息创建、信息发送方法及信息创建、信息发送装置