[发明专利]静电过滤器以及具有非对称静电组态的离子植入器

权利要求书

1.一种设备，包括：

主腔室；

入口隧道，所述入口隧道具有延伸到所述主腔室中的入口轴线；

出口隧道，连接到所述主腔室且界定出口轴线，其中所述入口隧道及所述出口隧道在所述入口隧道与所述出口隧道之间界定小于25度的束弯曲；

电极装配件，设置在所述主腔室中、所述出口隧道的下侧上；以及

抓持装配件，设置在所述主腔室内、处于所述出口隧道的外部孔隙的视线中。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述主腔室包括入口壁，其中所述入口隧道延伸穿过所述入口壁，且其中所述抓持装配件形成所述入口壁的至少部分。

3.根据权利要求2所述的设备，其中所述抓持装配件进一步包括抓持横档，所述抓持横档从所述入口壁以一定角度延伸。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述电极装配件包括上部电极及多个下部电极，其中所述电极装配件不设置在所述外部孔隙的所述视线中。

5.根据权利要求4所述的设备，其中所述电极装配件设置在所述出口隧道的下方。

6.根据权利要求4所述的设备，其中所述抓持装配件进一步包括抓持横档，所述抓持横档设置在所述上部电极的上方，且从所述入口壁以一定角度延伸。

7.根据权利要求1所述的设备，进一步包括接地装配件，所述接地装配件设置在所述电极装配件的上方。

8.根据权利要求7所述的设备，其中所述接地装配件包括以地电位设置的多个结构以及设置在所述多个结构之间的多个孔隙。

9.根据权利要求4所述的设备，其中所述多个下部电极中的至少一个电极被布置成从接地状态切换到偏置状态。

10.一种离子植入器，包括

离子源，用于产生离子束；以及

静电过滤器，设置在所述离子源的下游以控制所述离子束，所述静电过滤器包括：

主腔室；

入口隧道，所述入口隧道具有延伸到所述主腔室中的入口轴线；

出口隧道，连接到所述主腔室且界定出口轴线，其中所述入口隧道及所述出口隧道在所述入口隧道与所述出口隧道之间界定小于25度的束弯曲；

电极装配件，设置在所述主腔室中、所述出口隧道的下侧上；以及

抓持装配件，设置在所述主腔室内、处于所述出口隧道的外部孔隙的视线中。

11.根据权利要求10所述的离子植入器，其中所述电极装配件包括上部电极及多个下部电极，其中所述电极装配件不设置在所述外部孔隙的所述视线中。

12.根据权利要求11所述的离子植入器，其中所述电极装配件设置在所述出口隧道的下方。

13.根据权利要求11所述的离子植入器，进一步包括接地装配件，所述接地装配件设置在所述电极装配件的上方。

14.一种静电过滤器，包括：

主腔室，包括设定成地电位的腔室壁；

入口隧道，以第一电位偏置，且具有延伸到所述主腔室中的入口轴线；

出口隧道，连接到所述主腔室且界定出口轴线，其中所述入口隧道及所述出口隧道在所述入口隧道与所述出口隧道之间界定小于25度的束弯曲；

电极装配件，设置在所述主腔室中、所述出口隧道的下侧上；以及

抓持装配件，设定成地电位，且设置在所述主腔室内、处于所述出口隧道的外部孔隙的视线中。

15.根据权利要求14所述的静电过滤器，其中所述电极装配件及所述入口隧道不设置在所述外部孔隙的所述视线中。