[发明专利]高频磁性膜、其制造方法及用途

权利要求书

1.一种多层磁性膜，包括：

基底；

设置在所述基底上的第一磁性层，其中所述第一磁性层包含Fe_(50-80)N_(10-20)B_(1-20)M_(0-10)，其中M为Si、Ta、Zr、Ti、Co、或其组合；以及

设置在所述第一磁性层上的第二磁性层，其中所述第二磁性层包含Fe_(50-90)N_(10-50)或Fe_(60-90)N_(1-10)Ta_(5-30)；

其中在50MHz至10GHz的频率范围内、优选在100MHz至5GHz的频率范围内、更优选在1GHz至5GHz的频率范围内，所述多层磁性膜：

在所述频率范围内的选定频带上，优选在1GHz至10GHz的频带上，具有大于或等于1800、优选大于或等于2000、更优选大于或等于3000的磁导率；

在所述频率范围内的选定频带上，优选在1GHz至10GHz的频带上，具有小于或等于0.3、优选小于或等于0.1的磁损耗角正切；以及

具有大于或等于1GHz、或者大于或等于2GHz、优选大于或等于5GHz的截止频率。

2.根据权利要求1所述的多层磁性膜，其中所述基底包括玻璃、聚合物、或陶瓷，优选包括陶瓷。

3.根据前述权利要求中任一项或更多项所述的多层磁性膜，其中

所述第一磁性层的厚度为10纳米至100纳米，以及

所述第二磁性层的厚度为10纳米至400纳米。

4.根据前述权利要求中任一项或更多项所述的多层磁性膜，还包括：

设置在第二层上的包含Fe_(50-80)N_(10-20)B_(1-20)的附加的第一层；以及

设置在所述附加的第一磁性层上的包含Fe_(50-90)N_(10-50)或Fe_(60-90)N_(1-10)Ta_(5-30)的附加的第二磁性层。

5.根据权利要求4所述的多层磁性膜，包括交替设置在所述附加的第二磁性层上的进一步附加的第一磁性层和进一步附加的第二磁性层。

6.根据权利要求4至5中任一项或更多项所述的多层磁性膜，其中所述第一磁性层和所述第二磁性层的总厚度为20纳米至500纳米。

7.一种制品，包括根据权利要求1至6中任一项或更多项所述的多层膜，优选地，其中所述制品为滤波器、变压器、电感器、天线、电子集成电路芯片、或电磁屏蔽装置。

8.根据权利要求7所述的制品，其中所述制品是电子装置的组件，优选为移动电话、台式计算机、膝上型计算机、笔记本计算机、无线网络或LAN网络、电源、放大器、压控振荡器、收缩功率转换器，更优选为集成电子装置。

9.一种形成根据权利要求1至6中任一项或更多项所述的多层磁性膜的方法，所述方法包括：

在所述基底的一侧上沉积第一磁性层；以及

在所述第一磁性层的与所述基底相反的一侧上沉积第二磁性层。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述沉积包括rf/DC溅射、电子束沉积、或其组合。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括在所述第二层的与第一层相反的一侧上沉积附加的第一层。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括在所述附加的第一层的与所述第二层相反的一侧上沉积附加的第二层。