[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法在审
| 申请号: | 201980065740.4 | 申请日: | 2019-09-25 |
| 公开(公告)号: | CN112840438A | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
| 发明(设计)人: | 犹原英司;冲田有史;角间央章;增井达哉 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B05C11/00;B05C11/08;B05C11/10;B05D1/40;B05D3/00;B05D3/10 |
| 代理公司: | 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 | 代理人: | 魏彦 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 装置 以及 方法 | ||
1.一种基板处理装置,其中,具有:
基板保持部,保持基板,并使所述基板旋转;
杯构件,包围所述基板保持部的外周;
升降机构,以使所述杯构件的上端部位于比被所述基板保持部保持的所述基板高的上端位置的方式,使所述杯构件上升;
第一喷嘴,在比所述上端位置低的位置具有喷出口,从所述喷出口向所述基板的端部喷出第一处理液;以及
相机,拍摄从所述基板的上方的拍摄位置观察的拍摄区域,在所述拍摄区域中包括从所述第一喷嘴的所述喷出口喷出的第一处理液。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
具有移动机构,所述移动机构使所述相机移动至所述基板的上方的所述拍摄位置,
所述拍摄位置是所述相机的受光面的下端的高度位置与所述杯构件的所述上端位置相同的位置,或者是所述相机的受光面的下端的高度位置比该上端位置低的位置。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
具有镜以及使所述镜移动的移动机构,
所述相机配置在所述基板的上方以外的区域,
所述移动机构使所述镜移动至所述基板的上方的所述拍摄位置,使来自所述拍摄区域的光从所述镜向所述相机反射。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其中,
所述移动机构使所述镜移动至所述镜的反射面的下端与所述杯构件的所述上端位置相同的位置,或者移动至所述镜的反射面的下端比该上端位置低的位置。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的基板处理装置,其中,
所述拍摄位置是相对于所述第一喷嘴在所述基板的旋转方向的上游侧的位置。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
具有移动机构,所述移动机构使所述相机移动至所述基板的上方的所述拍摄位置,
所述第一处理液包含氢氟酸,
所述相机的下部被耐化学性树脂或金属覆盖。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的基板处理装置,其中,具有:
固定构件,固定所述第一喷嘴,以及
移动机构,使所述固定构件移位来使所述第一喷嘴移动至所述基板的所述端部的上方;
所述相机固定于所述固定构件。
8.根据权利要求1至6中的任一项所述的基板处理装置,其中,还具有:
第二喷嘴,向所述基板喷出第二处理液,
固定构件,固定所述第二喷嘴,以及
移动机构,使所述固定构件移位来使所述第二喷嘴移动至所述基板的上方;
所述相机固定于所述固定构件。
9.根据权利要求1至8中的任一项所述的基板处理装置,其中,
所述拍摄区域是沿着比所述基板的径向靠近周向的方向观察的拍摄区域。
10.一种基板处理方法,在权利要求1至9中的任一项所述的基板处理装置中,具有:
保持工序,通过所述基板保持部保持基板;
基板旋转工序,使保持所述基板的所述基板保持部旋转;
斜面处理工序,从所述第一喷嘴向所述基板的端部喷出所述第一处理液;以及
斜面监视工序,基于所述相机拍摄所述拍摄区域所获得的拍摄图像,监视所述第一处理液的喷出状态。
11.根据权利要求10所述的基板处理方法,其中,
在所述斜面处理工序中,从两个以上的喷出口向所述基板喷出所述第一处理液。
12.根据权利要求10或11所述的基板处理方法,其中,
在所述斜面监视工序中,基于所述拍摄图像中的位于所述第一喷嘴的正下方且横向的长度比纵向的长度长的区域内的像素的亮度值,求出从所述第一喷嘴的前端喷出的处理液的喷出状态量,所述喷出状态量为所述处理液的液柱宽度或喷出位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





