[发明专利]有机半导体元件、应变传感器、振动传感器以及有机半导体元件的制造方法

权利要求书

1.一种有机半导体元件，其特征在于，包括：

有机半导体膜，形成为有机半导体的单晶；以及

掺杂层，形成在所述有机半导体膜的表面上。

2.根据权利要求1所述的有机半导体元件，其特征在于，

包括掺杂物膜，所述掺杂物膜设置在所述有机半导体膜的表面上，向所述有机半导体膜的表面供给载流子，并形成所述掺杂层。

3.一种应变传感器，其特征在于，包括：

权利要求1或2所述的有机半导体元件；

一对电极，通过所述掺杂层电连接；以及

可变形的基板，在所述可变形的基板的一个面上形成有所述有机半导体元件。

4.一种振动传感器，其特征在于，包括：

权利要求1或2所述的有机半导体元件；

一对电极，通过所述掺杂层电连接；以及

基板，具有挠性，且所述基板的一端或两端被固定，并在挠曲部位的表面上设置有所述有机半导体元件。

5.一种有机半导体元件的制造方法，其特征在于，包括：

有机半导体膜形成工序，在基板上形成由有机半导体的单晶构成的有机半导体膜；以及

掺杂物膜形成工序，形成向所述有机半导体膜的表面供给载流子的掺杂物膜。

6.一种权利要求5所述的有机半导体元件的制造方法，其特征在于，

在所述掺杂物膜形成工序中，使处理液与所述有机半导体膜的表面接触，通过氧化还原反应形成第二离子与所述有机半导体的中间体，并用第一离子置换所述中间体的所述第二离子，其中，所述第一离子成为掺杂物，所述第二离子具有与所述第一离子相同的极性且氧化或还原所述有机半导体，所述处理液通过将所述第二离子溶解在将所述第一离子作为阳离子或阴离子中的一方而构成的离子液体或溶解其盐的有机溶剂中而形成。