[发明专利]用于提供站对站的均匀性的方法和设备在审
申请号: | 201980057079.2 | 申请日: | 2019-08-12 |
公开(公告)号: | CN112640077A | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 阿德里安·拉沃伊;普尔凯特·阿加瓦尔 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠;张华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 提供 均匀 方法 设备 | ||
提供了一种用于处理衬底的设备。提供第一气体源。第一气体歧管连接至所述第一气体源。第二气体歧管连接至所述第一气体源。第一处理站具有第一气体出口,其中所述第一气体出口连接至所述第一气体歧管。第二处理站具有第二气体出口,其中所述第二气体出口连接至所述第二气体歧管。第一可变传导阀沿着所述第一气体歧管而介于所述第一气体源和所述第一气体出口之间。第二可变传导阀沿着所述第二气体歧管而介于所述第一气体源和所述第二气体出口之间。
相关申请的交叉引用
本申请要求2018年8月29日提交的美国申请No.16/115,970的优先权利益,其全部内容通过引用并入本发明。
技术领域
本公开内容涉及半导体装置的形成。更具体而言,本公开内容涉及半导体装置在系统内的形成,其中多个站共享气体源。
发明内容
为了实现前述目的,并且根据本公开内容的目的,提供了一种用于处理衬底的设备。提供第一气体源。第一气体歧管连接至所述第一气体源。第二气体歧管连接至所述第一气体源。第一处理站具有第一气体出口,其中所述第一气体出口连接至所述第一气体歧管。第二处理站具有第二气体出口,其中所述第二气体出口连接至所述第二气体歧管。第一可变传导阀沿着所述第一气体歧管而介于所述第一气体源和所述第一气体出口之间。第二可变传导阀沿着所述第二气体歧管而介于所述第一气体源和所述第二气体出口之间。
在另一实现方式中,提供了一种用于处理堆叠件的设备。提供第一气体源。第一气体歧管连接至所述第一气体源。第一处理站具有第一气体出口,其中所述第一气体出口连接至所述第一气体歧管。第一可变传导阀沿着所述第一气体歧管而介于所述第一气体源及所述第一气体出口之间。
在另一实现方式中,一种在处理系统中处理多个堆叠件的方法,所述处理系统包含:第一气体源;第一气体歧管,其连接至所述第一气体源;第二气体歧管,其连接至所述第一气体源;具有第一气体出口的第一处理站,其中所述第一气体出口连接至所述第一气体歧管;具有第二气体出口的第二处理站,其中所述第二气体出口连接至所述第二气体歧管;第一可变传导阀,其沿着所述第一气体歧管而介于所述第一气体源和所述第一气体出口之间;第二可变传导阀,其沿着所述第二气体歧管而介于所述第一气体源和所述第二气体出口之间;第一混合歧管,其介于所述第一可变传导阀和所述第一气体出口之间,其中所述第一可变传导阀介于所述第一气体源和第一混合歧管之间;第二混合歧管,其介于所述第二气体歧管和所述第二气体出口之间,其中所述第二可变传导阀介于所述第一气体源和所述第二混合歧管之间;第二气体源;第三气体歧管,其连接在所述第二气体源和所述第一混合歧管之间;第四气体歧管,其连接在所述第二气体源和所述第二混合歧管之间;第三可变传导阀,其沿着所述第三气体歧管而连接在所述第二气体源和所述第一混合歧管之间;第四可变传导阀,其沿着所述第四气体歧管而连接在所述第二气体源和所述第二混合歧管之间;第五可变传导阀,其介于所述第一混合歧管和所述第一气体出口之间;以及第六可变传导阀,其介于所述第二混合歧管和所述第二气体出口之间,所述方法包含:调整所述第一可变传导阀、所述第二可变传导阀、所述第三可变传导阀、所述第四可变传导阀、所述第五可变传导阀、所述第六可变传导阀,以提供所述第一处理站与所述第二处理站之间的改善的均匀性。
本公开的这些和其他特征将下文在本公开内容的详细描述中并结合下面的附图更详细地描述。。
附图说明
本公开在附图中的图形是通过举例的方式而不是通过限制的方式示出,其中相同的附图标记表示类似的元件,并且其中:
图1是实施方案的示意性说明。
图2是可以在一实施方案中使用的处理室的示意图。
图3是可用于实践一实施方案的计算机系统的示意图。
图4是一实施方案的流程图。
图5A是另一实施方案的剖视示意图。
图5B为图5A所示的实施方案的剖视侧视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造