[发明专利]用于提供站对站的均匀性的方法和设备在审
申请号: | 201980057079.2 | 申请日: | 2019-08-12 |
公开(公告)号: | CN112640077A | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 阿德里安·拉沃伊;普尔凯特·阿加瓦尔 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠;张华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 提供 均匀 方法 设备 | ||
1.一种用于处理衬底的设备,其包含:
第一气体源;
第一气体歧管,其连接至所述第一气体源;
第二气体歧管,其连接至所述第一气体源;
具有第一气体出口的第一处理站,其中所述第一气体出口连接至所述第一气体歧管;
具有第二气体出口的第二处理站,其中所述第二气体出口连接至所述第二气体歧管;
第一可变传导阀,其沿着所述第一气体歧管而介于所述第一气体源和所述第一气体出口之间;以及
第二可变传导阀,其沿着所述第二气体歧管而介于所述第一气体源和所述第二气体出口之间。
2.根据权利要求1所述的设备,其还包含:
第一混合歧管,其沿着所述第一气体歧管而介于所述第一可变传导阀和所述第一气体出口之间;
第二混合歧管,其沿着所述第二气体歧管而介于所述第二可变传导阀和所述第二气体出口之间;
第二气体源;
第三气体歧管,其连接在所述第二气体源和所述第一混合歧管之间;
第四气体歧管,其连接在所述第二气体源和所述第二混合歧管之间;
第三可变传导阀,其沿着所述第三气体歧管而连接在所述第二气体源和所述第一混合歧管之间;
第四可变传导阀,其沿着所述第四气体歧管而连接在所述第二气体源和所述第二混合歧管之间;
第五可变传导阀,其介于所述第一混合歧管和所述第一气体出口之间;以及
第六可变传导阀,其介于所述第二混合歧管和所述第二气体出口之间。
3.根据权利要求2所述的设备,其还包含:
第五气体歧管,其连接至所述第一气体源;
第六气体歧管,其连接至所述第一气体源;
第七气体歧管,其连接至所述第二气体源;
第八气体歧管,其连接至所述第二气体源;
具有第三气体出口的第三处理站;
具有第四气体出口的第四处理站;
第三混合歧管,其连接在所述第五气体歧管和第七气体歧管与所述第三气体出口之间;
第七可变传导阀,其介于所述第一气体源和所述第三混合歧管之间;
第八可变传导阀,其介于所述第二气体源和所述第三混合歧管之间;
第四混合歧管,其连接在所述第六气体歧管和第八气体歧管与所述第四气体出口之间;
第九可变传导阀,其连接在所述第一气体源和所述第四混合歧管之间;
第十可变传导阀,其介于所述第二气体源和所述第四混合歧管;
第十一可变传导阀,其介于所述第三混合歧管和所述第三气体出口之间;以及
第十二可变传导阀,其介于所述第四混合歧管和所述第四气体出口之间。
4.根据权利要求3所述的设备,其还包含处理室,其中所述第一处理站、所述第二处理站、所述第三处理站、以及所述第四处理站均位于所述处理室中。
5.根据权利要求4所述的设备,其还包含RF源,以提供RF功率至所述处理室。
6.根据权利要求1所述的设备,其还包含处理室,其中所述第一处理站和所述第二处理站均位于所述处理室中。
7.根据权利要求6所述的设备,其还包含RF源,以提供RF功率至所述处理室。
8.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一和所述第二可变传导阀提供可调整的流量阻力。
9.根据权利要求8所述的设备,其还包含可控地连接至所述第一和所述第二可变传导阀的控制器,其中所述控制器适于调整所述第一和所述第二可变传导阀的流量阻力。
10.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一和所述第二可变传导阀为蝶形阀。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗姆研究公司,未经朗姆研究公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980057079.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:货架产品的分配器
- 下一篇:尤其用于消防领域的止回阀和系统分离器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造