[发明专利]显示装置及其操作方法在审

专利信息
申请号: 201980053215.0 申请日: 2019-05-22
公开(公告)号: CN112567527A 公开(公告)日: 2021-03-26
发明(设计)人: 金建熙;朴常镐;全珠姬;郑荣哲 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;G09G3/3283;H01L27/12;H01L29/786;H01L51/50
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 严芬;康泉
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 显示装置 及其 操作方法
【说明书】:

一种显示装置包括:基板;和放置在基板上的晶体管,其中晶体管包括:半导体层;与半导体层重叠的栅电极;与沟道区重叠并且与栅电极接触的第一栅接触重叠层,栅电极和半导体层在沟道区处重叠;和与沟道区重叠并且与半导体层接触的半导体接触重叠层,并且第一栅接触重叠层和半导体接触重叠层在沟道区内由间隙物理地分开。

技术领域

发明的实施例涉及显示装置及其驱动方法。更具体地,本发明涉及包括具有改善的特性的晶体管的显示装置及其驱动方法。

背景技术

显示装置是用于显示图像的装置,并且近来,有机发光二极管显示器已引起了关注。

有机发光二极管显示器具有自发射特性,并且与液晶显示器不同,它不需要单独的光源,因此可以减小其厚度和重量。另外,有机发光二极管显示器展现出诸如低功耗、高亮度和高反应速度的高质量特性。

通常,有机发光二极管显示器包括基板、设置在基板上的多个晶体管和连接到晶体管的有机发光元件。晶体管是开关元件,并且是显示装置的基本配置。

具有诸如大数据范围和在导通状态下流动的大电流的特性的晶体管有利于提高显示装置的显示质量。

在本背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对本发明背景的理解,并且因此,它可能包含不构成本领域普通技术人员在本国已经知道的现有技术的信息。

发明内容

本发明的实施例提供了显示装置及其驱动方法,该显示装置包括具有诸如大数据范围和在导通状态下流动的大电流的特性的晶体管。

根据本发明的实施例的显示装置包括:基板;和放置在基板上的晶体管,其中晶体管包括:半导体层;与半导体层重叠的栅电极;与沟道区重叠并且与栅电极接触的第一栅接触重叠层,栅电极和半导体层在沟道区处重叠;和与沟道区重叠并且与半导体层接触的半导体接触重叠层,并且第一栅接触重叠层和半导体接触重叠层在沟道区内由间隙物理地分开。

晶体管可以进一步包括与沟道区重叠并且与栅电极接触的第二栅接触重叠层,并且在平面上,半导体接触重叠层设置在第一栅接触重叠层和第二栅接触重叠层之间。

在平面上,包括第一栅接触重叠层、半导体接触重叠层、第二栅接触重叠层和间隙的整个区域的宽度可以大于沟道区的宽度。

在平面上,包括第一栅接触重叠层、半导体接触重叠层、第二栅接触重叠层和间隙的整个区域的宽度可以小于沟道区的宽度。

晶体管可以进一步包括与沟道区重叠并且与半导体层和栅电极绝缘而不连接的浮置重叠层。

半导体接触重叠层可以包括:与沟道区重叠的第一重叠部;与沟道区重叠的第二重叠部;与半导体层接触而不与栅电极重叠的接触部;以及将第一重叠部、第二重叠部和接触部彼此连接的延伸部。

第一栅接触重叠层可以设置在第一重叠部和第二重叠部之间。

在平面上,包括第一栅接触重叠层、第一重叠部、第二重叠部和间隙的整个区域的宽度可以大于沟道区的宽度。

在平面上,包括第一栅接触重叠层、第一重叠部、第二重叠部和间隙的整个区域的宽度可以小于沟道区的宽度。

晶体管可以进一步包括与沟道区重叠并且与半导体层和栅电极绝缘而不连接的浮置重叠层。

第一栅接触重叠层的宽度可以与半导体接触重叠层的宽度相同。

第一栅接触重叠层的宽度和半导体接触重叠层的宽度可以彼此不同。

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